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1. WO2022209436 - DISPOSITIF DE CIRCUIT ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE MESURE DE TEMPÉRATURES D'UN DISPOSITIF DE CIRCUIT ÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2022/209436
Date de publication 06.10.2022
N° de la demande internationale PCT/JP2022/007300
Date du dépôt international 22.02.2022
CIB
G01K 7/00 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
KMESURE DES TEMPÉRATURES; MESURE DES QUANTITÉS DE CHALEUR; ÉLÉMENTS THERMOSENSIBLES NON PRÉVUS AILLEURS
7Mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments électriques ou magnétiques directement sensibles à la chaleur
H01L 21/822 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 25/00 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 27/04 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
CPC
G01K 7/00
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
7Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat
H01L 21/822
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
H01L 25/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
H01L 27/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
Déposants
  • 古野電気株式会社 FURUNO ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 安本 卓司 YASUMOTO, Takuji
Données relatives à la priorité
2021-05898831.03.2021JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ELECTRONIC CIRCUIT DEVICE, AND TEMPERATURE MEASUREMENT METHOD OF ELECTRONIC CIRCUIT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CIRCUIT ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE MESURE DE TEMPÉRATURES D'UN DISPOSITIF DE CIRCUIT ÉLECTRONIQUE
(JA) 電子回路デバイス、電子回路デバイスの温度測定方法
Abrégé
(EN) [Problem] To measure temperature of an electronic circuit device such as an integrated circuit, with good precision. [Solution] An electronic circuit device 10 includes a main processing unit 20 and a temperature measuring unit 30. The main processing unit 20 is capable of executing predetermined signal processing. The temperature measuring unit 30 generates a signal that is in a correlated relation with a temperature of the main processing unit 20, in a state of being driven by a predetermined low-consumption power or lower, and also in which thermal resistance between the temperature measuring unit 30 and the main processing unit 20 is a predetermined thermal resistance or lower.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de mesurer avec une bonne précision la température d'un dispositif de circuit électronique tel qu'un circuit intégré. La solution selon l'invention concerne un dispositif de circuit électronique (10) comprenant une unité principale de traitement (20) et une unité de mesure de températures (30). L'unité principale de traitement (20) est susceptible d'exécuter un traitement prédéterminé de signaux. L'unité de mesure de températures (30) génère un signal en relation corrélée avec une température de l'unité principale de traitement (20), dans un état d'attaque par une puissance prédéterminée de faible consommation ou une puissance de plus faible consommation que celle déterminée et également dans lequel la résistance thermique entre l'unité de mesure de températures (30) et l'unité principale de traitement (20) est une résistance thermique prédéterminée ou une résistance thermique inférieure à celle prédéterminée.
(JA) 【課題】集積回路のような電子回路デバイスの温度を精度良く測定する。 【解決手段】 電子回路デバイス10は、メイン処理部20、および、温度測定部30を備える。メイン処理部20は、所定の信号処理を実行できる。温度測定部30は、所定の低消費電力以下で駆動され、かつ、メイン処理部20との間での熱抵抗が所定の熱抵抗値以下となった態様で、メイン処理部20の温度と対応関係にある信号を生成する。
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