Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2022182382 - FUSIBLE ÉLECTRONIQUE À CIRCUIT INTÉGRÉ AYANT UN ÉLÉMENT DE FUSIBLE ÉLECTRONIQUE FOURNISSANT UNE BARRIÈRE DE DIFFUSION POUR DES BORNES DE FUSIBLE ÉLECTRONIQUE SOUS-JACENTES

Numéro de publication WO/2022/182382
Date de publication 01.09.2022
N° de la demande internationale PCT/US2021/036379
Date du dépôt international 08.06.2021
CIB
H01L 23/525 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
525avec des interconnexions modifiables
H01L 21/768 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 23/532 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
532caractérisées par les matériaux
CPC
H01L 21/76849
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
76841Barrier, adhesion or liner layers
76843formed in openings in a dielectric
76849the layer being positioned on top of the main fill metal
H01L 21/76874
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
76841Barrier, adhesion or liner layers
76871Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers
76874for electroless plating
H01L 21/76879
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
76877Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
76879by selective deposition of conductive material in the vias, e.g. selective C.V.D. on semiconductor material, plating
H01L 23/5256
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
525with adaptable interconnections
5256comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive
H01L 23/53238
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
532characterised by the materials
53204Conductive materials
53209based on metals, e.g. alloys, metal silicides
53228the principal metal being copper
53238Additional layers associated with copper layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
Déposants
  • MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED [US]/[US]
Inventeurs
  • LENG, Yaojian
Mandataires
  • SLAYDEN, Bruce W.
Données relatives à la priorité
17/233,31116.04.2021US
63/152,90724.02.2021US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) INTEGRATED CIRCUIT E-FUSE HAVING AN E-FUSE ELEMENT PROVIDING A DIFFUSION BARRIER FOR UNDERLYING E-FUSE TERMINALS
(FR) FUSIBLE ÉLECTRONIQUE À CIRCUIT INTÉGRÉ AYANT UN ÉLÉMENT DE FUSIBLE ÉLECTRONIQUE FOURNISSANT UNE BARRIÈRE DE DIFFUSION POUR DES BORNES DE FUSIBLE ÉLECTRONIQUE SOUS-JACENTES
Abrégé
(EN) An electronic fuse (e-fuse) module may be formed in an integrated circuit device. The e-fuse module may include a pair of metal e-fuse terminals (e.g., copper terminals) and an e-fuse element formed directly on the metal e-fuse terminals to define a conductive path between the pair of metal e-fuse terminals through the e-fuse element. The metal e-fuse terminals may be formed in a metal interconnect layer, along with various interconnect elements of the integrated circuit device. The e-fuse element may be formed by depositing and patterning a diffusion barrier layer over the metal e-fuse terminals and interconnect elements formed in the metal interconnect layer. The e-fuse element may be formed from a material that provides a barrier against metal diffusion (e.g., copper diffusion) from each of the metal e-fuse terminals and interconnect elements. For example, the e-fuse element may be formed from titanium tungsten (TiW) or titanium tungsten nitride (TiW2N).
(FR) L'invention concerne un module de fusible électronique (e-fusible) qui peut être formé dans un dispositif à circuit intégré. Le module de fusible électronique peut comprendre une paire de bornes de fusible électronique métalliques (par exemple, des bornes de cuivre) et un élément de fusible électronique formé directement sur les bornes de fusible électronique métalliques pour définir un trajet conducteur entre la paire de bornes de fusible électronique métalliques à travers l'élément de fusible électronique. Les bornes de fusible électronique métalliques peuvent être formées dans une couche d'interconnexion métallique, conjointement avec divers éléments d'interconnexion du dispositif à circuit intégré. L'élément de fusible électronique peut être formé par dépôt et structuration d'une couche barrière de diffusion sur les bornes de fusible électronique métalliques et d'éléments d'interconnexion formés dans la couche d'interconnexion métallique. L'élément de fusible électronique peut être formé à partir d'un matériau qui fournit une barrière contre la diffusion de métal (par exemple, diffusion de cuivre) à partir de chacune des bornes de fusible électronique métalliques et des éléments d'interconnexion. Par exemple, l'élément de fusible électronique peut être formé à partir de tungstène-titane (TiW) ou de nitrure de tungstène-titane (TiW2N).
Documents de brevet associés
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international