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1. WO2022179930 - CIRCUIT DE PIXEL ET DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2022/179930
Date de publication 01.09.2022
N° de la demande internationale PCT/EP2022/053943
Date du dépôt international 17.02.2022
CIB
H04N 5/355 2011.1
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
351Réglage du capteur SSIS en fonction de la scène, p.ex. luminosité ou mouvement dans la scène
355Réglage de la gamme dynamique
H04N 5/3745 2011.1
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
3745ayant des composants supplémentaires incorporés au sein d'un pixel ou connectés à un groupe de pixels au sein d'une matrice de capteurs, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs
CPC
H04N 5/355
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
351Control of the SSIS depending on the scene, e.g. brightness or motion in the scene
355Control of the dynamic range
H04N 5/3745
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
3745having additional components embedded within a pixel or connected to a group of pixels within a sensor matrix, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
Déposants
  • SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
  • SONY EUROPE B. V. [GB]/[GB] (AL)
Inventeurs
  • ZEITUNI, Golan
  • ESHEL, Noam Zeev
Mandataires
  • MÜLLER HOFFMANN & PARTNER PATENTANWÄLTE MBB
Données relatives à la priorité
21158782.923.02.2021EP
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PIXEL CIRCUIT AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) CIRCUIT DE PIXEL ET DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé
(EN) A pixel circuit (100) includes a photoelectric conversion circuit (110), an integration capacitor (Cint) and a supplementary circuit (120). The photoelectric conversion circuit (110) generates and outputs a photocurrent (Iphoto). The integration capacitor (Cint) includes a storage electrode (CintS) and a reference electrode (CintR), wherein the reference electrode (CintR) is connected to a first supply potential (VSUP1), and wherein the integration capacitor (Cint) is configured to integrate the photocurrent on the storage electrode (CintS) in an integration period (Tint). The supplementary circuit (120) pre-charges a working node (WN) between the photoelectric conversion circuit (110) and the storage electrode (CintS) to a pre-charge potential (Vpre) that differs from the first supply potential (VSUP1).
(FR) L'invention concerne un circuit de pixel (100) comprenant un circuit de conversion photoélectrique (110), un condensateur d'intégration (Cint) et un circuit supplémentaire (120). Le circuit de conversion photoélectrique (110) génère et délivre un photocourant (Iphoto). Le condensateur d'intégration (Cint) comprend une électrode de stockage (CintS) et une électrode de référence (CintR), dans lequel l'électrode de référence (CintR) est connectée à un premier potentiel d'alimentation (VSUP1), et dans lequel le condensateur d'intégration (Cint) est configuré pour intégrer le photocourant sur l'électrode de stockage (CintS) dans une période d'intégration (Tint). Le circuit supplémentaire (120) précharge un nœud de travail (WN) entre le circuit de conversion photoélectrique (110) et l'électrode de stockage (CintS) à un potentiel de précharge (Vpre) qui diffère du premier potentiel d'alimentation (VSUP1).
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