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1. WO2022094423 - GÉNÉRATION DE DONNÉES INTÉGRÉES DANS DES CELLULES DE MÉMOIRE DANS UN SOUS-SYSTÈME DE MÉMOIRE

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Numéro de publication WO/2022/094423
Date de publication 05.05.2022
N° de la demande internationale PCT/US2021/057614
Date du dépôt international 01.11.2021
CIB
G11C 16/10 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
10Circuits de programmation ou d'entrée de données
G11C 16/30 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
30Circuits d'alimentation
G11C 16/34 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
34Détermination de l'état de programmation, p.ex. de la tension de seuil, de la surprogrammation ou de la sousprogrammation, de la rétention
G06F 3/06 2006.1
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
FTRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
3Dispositions d'entrée pour le transfert de données à traiter pour leur donner une forme utilisable par le calculateur; Dispositions de sortie pour le transfert de données de l'unité de traitement à l'unité de sortie, p.ex. dispositions d'interface
06Entrée numérique à partir de, ou sortie numérique vers des supports d'enregistrement
CPC
G06F 3/0625
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
3Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
06Digital input from or digital output to record carriers ; , e.g. RAID, emulated record carriers, networked record carriers
0601Dedicated interfaces to storage systems
0602specifically adapted to achieve a particular effect
0625Power saving in storage systems
G06F 3/0638
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
3Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
06Digital input from or digital output to record carriers ; , e.g. RAID, emulated record carriers, networked record carriers
0601Dedicated interfaces to storage systems
0628making use of a particular technique
0638Organizing or formatting or addressing of data
G06F 3/0679
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
3Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
06Digital input from or digital output to record carriers ; , e.g. RAID, emulated record carriers, networked record carriers
0601Dedicated interfaces to storage systems
0668adopting a particular infrastructure
0671In-line storage system
0673Single storage device
0679Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]
G11C 11/56
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
56using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
G11C 16/0483
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
04using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
0483comprising cells having several storage transistors connected in series
G11C 16/10
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
10Programming or data input circuits
Déposants
  • MICRON TECHNOLOGY, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • LIIKANEN, Bruce A.
  • SHEPEREK, Michael
  • KOUDELE, Larry J.
Mandataires
  • PORTNOVA, Marina
  • ANDREEV, Dmitry
  • KRUEGER, Paul M.
  • SIERCHIO, Daniel D.
Données relatives à la priorité
17/086,96402.11.2020US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) GENERATING EMBEDDED DATA IN MEMORY CELLS IN A MEMORY SUB-SYSTEM
(FR) GÉNÉRATION DE DONNÉES INTÉGRÉES DANS DES CELLULES DE MÉMOIRE DANS UN SOUS-SYSTÈME DE MÉMOIRE
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Abrégé
(EN) A processing device establishes a first data group of memory cells of a memory subsystem and a second data group of memory cells of the memory sub-system. A first portion of the first data group is programmed at a threshold voltage level to set a first embedded data value. A second portion of the second data group of memory cells is programmed at the threshold voltage level offset by an offset voltage level to set a second embedded data value.
(FR) Un dispositif de traitement établit un premier groupe de données de cellules de mémoire d'un sous-système de mémoire et un second groupe de données de cellules de mémoire du sous-système de mémoire. Une première partie du premier groupe de données est programmée à un niveau de tension de seuil afin de définir une première valeur de données intégrées. Une seconde partie du second groupe de données de cellules de mémoire est programmée au niveau de tension de seuil décalé par un niveau de tension décalé afin de définir une seconde valeur de données intégrées.
Documents de brevet associés
US20220139460
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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