Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2022091745 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2022/091745
Date de publication 05.05.2022
N° de la demande internationale PCT/JP2021/037266
Date du dépôt international 08.10.2021
CIB
H01L 23/14 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
14caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
H01L 23/29 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
29caractérisées par le matériau
H01L 23/31 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31caractérisées par leur disposition
Déposants
  • 国立大学法人東京大学 THE UNIVERSITY OF TOKYO [JP]/[JP]
  • パイクリスタル株式会社 PI-CRYSTAL INC. [JP]/[JP]
  • 株式会社オルガノサーキット ORGANO-CIRCUIT INC. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 竹谷 純一 TAKEYA Junichi
  • 渡辺 和誉 WATANABE Kazuyoshi
  • 野沢 汎 NOZAWA Han
  • 小野 郁一 ONO Yuichi
Mandataires
  • 特許業務法人ドライト国際特許事務所 DORAIT IP LAW FIRM
Données relatives à la priorité
2020-18186129.10.2020JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abrégé
(EN) Provided are: a semiconductor device in which an electronic element is fixed to a substrate, the semiconductor device being able to improve the connection reliability between the electronic element and the substrate; and a method for manufacturing the semiconductor device. The semiconductor device is configured to comprise: a substrate 10 provided with wiring and a wiring connection unit 12 for connection to the wiring; electronic elements 20, 30, 40, 50 electrically connected to the wiring connection unit 12 and fixed onto the substrate 10; and a resin film 60 that conforms to the shape of the electronic elements 20, 30, 40, 50, that covers the electronic elements 20, 30, 40, 50, and that is laminated onto one surface of the substrate 10.
(FR) L'invention concerne : un dispositif à semi-conducteur dans lequel un élément électronique est fixé à un substrat, le dispositif à semi-conducteur pouvant améliorer la fiabilité de connexion entre l'élément électronique et le substrat ; et un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteur. Le dispositif à semi-conducteur est configuré pour comprendre : un substrat 10 comportant un câblage et une unité de connexion de câblage 12 pour une connexion au câblage ; des éléments électroniques 20, 30, 40, 50 connectés électriquement à l'unité de connexion de câblage 12 et fixés sur le substrat 10 ; et un film de résine 60 qui épouse la forme des éléments électroniques 20, 30, 40, 50, qui recouvre les éléments électroniques 20, 30, 40, 50, et qui est stratifié sur une surface du substrat 10.
(JA) 基板に電子素子を固定した半導体装置において、電子素子と基板との接続信頼性を高めることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。配線及び配線に接続する配線接続部12が設けられた基板10と、配線接続部12に電気的に接続して基板10に固定された電子素子20,30,40,50と、電子素子20,30,40,50の形状に追随するとともに電子素子20,30,40,50を覆って基板10の一方の面上に積層された樹脂フィルム60とを備えた構成とする。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international