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1. WO2022088329 - PROCÉDÉ DE CORRECTION D'OUVERTURE D'OXYDE D'UN PLAN CRISTALLIN (100)

Numéro de publication WO/2022/088329
Date de publication 05.05.2022
N° de la demande internationale PCT/CN2020/131060
Date du dépôt international 24.11.2020
CIB
H01S 5/183 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
18Lasers à émission de surface
183ayant une cavité verticale
H01S 5/00 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
CPC
H01S 5/183
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
183having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
H01S 5/18344
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
183having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
18344characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa
Déposants
  • 深圳市德明利技术股份有限公司 SHENZHEN TECHWINSEMI TECHNOLOGY COMPANY LIMITED [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 方照诒 FANG, Chao-Yi
Mandataires
  • 深圳市道勤知酷知识产权代理事务所(普通合伙) SHENZHEN DAOQINZHIKU INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY (LLP)
Données relatives à la priorité
202011176243.228.10.2020CN
Langue de publication Chinois (zh)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR CORRECTING OXIDE APERTURE OF (100) CRYSTAL PLANE
(FR) PROCÉDÉ DE CORRECTION D'OUVERTURE D'OXYDE D'UN PLAN CRISTALLIN (100)
(ZH) 一种修正( 100 )晶面氧化孔径的方法
Abrégé
(EN) A method for correcting an oxide aperture of a (100) crystal plane (40), the method comprising: applying a film to a sidewall in a rapid oxidation direction of the (100) crystal plane (40) of a circular mesa (10) which has been subjected to mesa etching, or leaving a deposit on the sidewall, or retaining an original epitaxial material, so as to form a diffusion barrier layer (20), and compensating for and correcting the differences in oxidation rates in all directions of the sidewall; and diffusing and oxidizing the sidewall of the circular mesa (10), so as to form an oxide hole (30). The causes for the irregular shape of the oxide hole (30) are found, and a diffusion barrier layer (20) is disposed thereon, such that the oxide hole (30) tends to be a symmetrical circle, thereby enabling a VCSEL to present a nearly perfect circular light field.
(FR) L'invention concerne un procédé de correction d'une ouverture d'oxyde d'un plan cristallin (100) (40), le procédé consistant : à appliquer un film sur une paroi latérale dans une direction d'oxydation rapide du plan cristallin (100) (40) d'une mésa circulaire (10) qui a été soumise à une gravure de mésa, ou à réaliser un dépôt sur la paroi latérale, ou à retenir un matériau épitaxial d'origine, de manière à former une couche barrière de diffusion (20), et à compenser et à corriger les différences de taux d'oxydation dans toutes les directions de la paroi latérale ; et à diffuser et à oxyder la paroi latérale de la mésa circulaire (10), de manière à former un trou d'oxyde (30). Les causes de la forme irrégulière du trou d'oxyde (30) sont déterminées et une couche barrière de diffusion (20) est disposée sur ce dernier, de sorte que le trou d'oxyde (30) tend à être un cercle symétrique, ce qui permet à une VCSEL de présenter un champ de lumière circulaire presque parfait.
(ZH) 一种修正(100)晶面(40)氧化孔径的方法,包括:对经过台面刻蚀后的圆形Mesa(10)的(100)晶面(40)快速氧化方向上的侧壁进行镀膜或沉积或保留原来外延材料形成扩散障碍层(20),补偿修正侧壁各方向氧化速率的差异;对圆形Mesa(10)的侧壁进行扩散及氧化,形成氧化孔(30)。发现了氧化孔(30)形状不规则的原因,并通过设置扩散障碍层(20)使得氧化孔(30)趋向于对称的圆形,使得VCSEL能够呈现出趋于完美的圆形光场。
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