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1. WO2022076143 - TECHNIQUES POUR AUGMENTER LA PROFONDEUR DE PUITS DE CAPTEUR D'IMAGE CMOS PAR CANALISATION D'IONS CRYOGÉNIQUES D'IONS À ÉNERGIE ULTRA-ÉLEVÉE

Numéro de publication WO/2022/076143
Date de publication 14.04.2022
N° de la demande internationale PCT/US2021/050602
Date du dépôt international 16.09.2021
CIB
H01L 27/146 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H01L 31/18 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 21/26593
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
26Bombardment with radiation
263with high-energy radiation
265producing ion implantation
26593at a temperature lower than room temperature
H01L 27/14601
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
H01L 27/1461
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
1461characterised by the photosensitive area
H01L 27/1463
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1463Pixel isolation structures
H01L 27/14643
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14643Photodiode arrays; MOS imagers
H01L 27/14689
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
14689MOS based technologies
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • GOSSMANN, Hans-Joachim L.
  • TODOROV, Stanislav S.
  • ITO, Hiroyuki
Mandataires
  • CHAMBERLAIN, Jeffrey M.
Données relatives à la priorité
17/064,70007.10.2020US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) TECHNIQUES TO INCREASE CMOS IMAGE SENSOR WELL DEPTH BY CRYOGENIC ION CHANNELING OF ULTRA HIGH ENERGY IONS
(FR) TECHNIQUES POUR AUGMENTER LA PROFONDEUR DE PUITS DE CAPTEUR D'IMAGE CMOS PAR CANALISATION D'IONS CRYOGÉNIQUES D'IONS À ÉNERGIE ULTRA-ÉLEVÉE
Abrégé
(EN) Provided herein are approaches for forming an image sensor with increased well depth due to cryogenic ion channeling of ultra-high energy (UHE) ions. In some embodiments, a method may include providing a wafer of a semiconductor device, the semiconductor device including a photoelectric conversion region, and cooling the wafer to a temperature less than -50˚C. The method may further include performing an ion implant to the photoelectric conversion region to form a photodiode well after cooling the wafer.
(FR) L'invention concerne des approches destinées à former un capteur d'image avec une profondeur de puits accrue due à la canalisation d'ions cryogéniques d'ions à énergie ultra-élevée (UHE). Dans certains modes de réalisation, un procédé peut comprendre la fourniture d'une galette d'un dispositif semiconducteur, le dispositif semiconducteur comprenant une région de conversion photoélectrique, et le refroidissement de la galette jusqu'à une température inférieure à -50 °C. Le procédé peut en outre comprendre la réalisation d'un implant ionique sur la région de conversion photoélectrique pour former un puits de photodiode après refroidissement de la galette.
Documents de brevet associés
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