(EN) Provided herein are approaches for forming an image sensor with increased well depth due to cryogenic ion channeling of ultra-high energy (UHE) ions. In some embodiments, a method may include providing a wafer of a semiconductor device, the semiconductor device including a photoelectric conversion region, and cooling the wafer to a temperature less than -50˚C. The method may further include performing an ion implant to the photoelectric conversion region to form a photodiode well after cooling the wafer.
(FR) L'invention concerne des approches destinées à former un capteur d'image avec une profondeur de puits accrue due à la canalisation d'ions cryogéniques d'ions à énergie ultra-élevée (UHE). Dans certains modes de réalisation, un procédé peut comprendre la fourniture d'une galette d'un dispositif semiconducteur, le dispositif semiconducteur comprenant une région de conversion photoélectrique, et le refroidissement de la galette jusqu'à une température inférieure à -50 °C. Le procédé peut en outre comprendre la réalisation d'un implant ionique sur la région de conversion photoélectrique pour former un puits de photodiode après refroidissement de la galette.