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1. WO2022073311 - STRUCTURE DE STOCKAGE À AUTO-RÉFÉRENCE ET CIRCUIT INTÉGRÉ DE STOCKAGE ET DE CALCUL

Numéro de publication WO/2022/073311
Date de publication 14.04.2022
N° de la demande internationale PCT/CN2021/070110
Date du dépôt international 04.01.2021
CIB
G11C 11/16 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02utilisant des éléments magnétiques
16utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
CPC
G11C 11/161
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
161details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
G11C 11/1659
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1659Cell access
G11C 11/1673
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1673Reading or sensing circuits or methods
G11C 11/1675
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1675Writing or programming circuits or methods
Déposants
  • 中国科学院微电子研究所 INSTITUTE OF MICROELECTRONICS OF THE CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 邢国忠 XING, Guozhong
  • 林淮 LIN, Huai
  • 刘宇 LIU, Yu
  • 张凯平 ZHANG, Kaiping
  • 张康玮 ZHANG, Kangwei
  • 吕杭炳 LV, Hangbing
  • 谢常青 XIE, Changqing
  • 刘琦 LIU, Qi
  • 李泠 LI, Ling
  • 刘明 LIU, Ming
Mandataires
  • 北京华沛德权律师事务所 BEIJING BRIGHT & RIGHT LAW FIRM
Données relatives à la priorité
202011077197.010.10.2020CN
Langue de publication Chinois (zh)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) SELF-REFERENCE STORAGE STRUCTURE AND STORAGE AND CALCULATION INTEGRATED CIRCUIT
(FR) STRUCTURE DE STOCKAGE À AUTO-RÉFÉRENCE ET CIRCUIT INTÉGRÉ DE STOCKAGE ET DE CALCUL
(ZH) 一种自参考存储结构和存算一体电路
Abrégé
(EN) Provided are a self-reference storage structure and a storage and calculation integrated circuit. The self-reference storage structure comprises: three transistors, including a first transistor T1, a second transistor T2, and a third transistor T3; and two magnetic tunnel junctions, including a first magnetic tunnel junction MTJ0 and a second magnetic tunnel junction MTJ1. The first magnetic tunnel junction MTJ0 is connected in series between the first transistor T1 and the second transistor T2, and the second magnetic tunnel junction MTJ1 is connected in series between the second transistor T2 and the third transistor T3. When the first transistor T1, the second transistor T2 and the third transistor T3 are turned on, one-bit binary information is written; and when data is stored, one-bit binary write can be implemented only by applying an unidirectional current.
(FR) Une structure de stockage à auto-référence et un circuit intégré de stockage et de calcul sont divulgués. La structure de stockage à auto-référence comprend : trois transistors, comprenant un premier transistor T1, un second transistor T2, et un troisième transistor T3 ; et deux jonctions tunnel magnétiques, comprenant une première jonction tunnel magnétique MTJ0 et une seconde jonction tunnel magnétique MTJ1. La première jonction tunnel magnétique MTJ0 est connectée en série entre le premier transistor T1 et le second transistor T2, et la seconde jonction tunnel magnétique MTJ1 est connectée en série entre le second transistor T2 et le troisième transistor T3. Lorsque le premier transistor T1, le second transistor T2 et le troisième transistor T3 sont activés, des informations binaires à un bit sont écrites ; et lorsque des données sont stockées, une écriture binaire à un bit peut être mise en œuvre uniquement par application d'un courant unidirectionnel.
(ZH) 提供一种自参考存储结构及存算一体电路,所述自参考存储结构包括:三个晶体管,包括:第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3;两个磁隧道结,包括:第一磁隧道结MTJ0、第二磁隧道结MTJ1;第一磁隧道结MTJ0串联于第一晶体管T1与第二晶体管T2之间;第二磁隧道结MTJ1串联于第二晶体管T2与第三晶体管T3之间;在开启第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3时,实现一位二进制信息的写入;在实现数据存储时,只需要施加单向电流即可实现一位二进制的写入。
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