(EN) The present disclosure relates to a bulk acoustic resonator, comprising: a substrate, an acoustic mirror, a bottom electrode, a piezoelectric layer, and a top electrode. The resonator has a resonance frequency lower than 2.5 GHz, and a layer thickness ratio E/P; the resonator has an electro-mechanical coupling factor Kt2; the doping concentration is not less than a1; and a1 is a doping concentration corresponding to the electro-mechanical coupling factor Kt2 when the layer thickness ratio E/P is 1.5. The present disclosure further relates to a doping concentration determining method. The doping concentration is a doping concentration of a doping element of the piezoelectric layer of the bulk acoustic resonator; the resonator has the electro-mechanical coupling factor Kt2; and the resonator has the resonance frequency lower than 2.5 GHz, and the layer thickness ratio E/P. The method comprises the following steps: selecting the doping concentration to be not less than a1 on the basis of a layer thickness ratio E/P, a1 being the doping concentration corresponding to the electro-mechanical coupling factor Kt2 when the layer thickness ratio E/P of the resonator is 1.5. The present disclosure also relates to a filter and an electronic device.
(FR) La présente divulgation concerne un résonateur acoustique de volume, comprenant : un substrat, un miroir acoustique, une électrode inférieure, une couche piézoélectrique, et une électrode supérieure. Le résonateur possède une fréquence de résonance inférieure à 2,5 GHz, et un rapport d'épaisseur de couche E/P ; le résonateur présente un facteur de couplage électromécanique Kt2 ; la concentration de dopage n'est pas inférieure à a1 ; et a1 est une concentration de dopage correspondant au facteur de couplage électromécanique Kt2 lorsque le rapport d'épaisseur de couche E/P est de 1,5. La présente divulgation concerne en outre un procédé de détermination de concentration de dopage. La concentration de dopage est une concentration de dopage d'un élément dopant de la couche piézoélectrique du résonateur acoustique de volume ; le résonateur présente le facteur de couplage électromécanique Kt2 ; et le résonateur possède une fréquence de résonance inférieure à 2,5 GHz, et un rapport d'épaisseur de couche E/P. Le procédé comprend les étapes suivantes qui consistent à : sélectionner une concentration de dopage supérieure ou égale à a1 sur la base d'un rapport d'épaisseur de couche E/P, a1 étant la concentration de dopage correspondant au facteur de couplage électromécanique Kt2 lorsque le rapport d'épaisseur de couche E/P du résonateur est de 1,5. La présente divulgation concerne en outre un filtre et un dispositif électronique.
(ZH) 本公开涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；压电层；和顶电极，其中：所述谐振器的谐振频率低于2.5GHz，且具有层厚比E/P；所述谐振器具有机电耦合系数Kt 2，所述掺杂浓度不小于a1，a1为层厚比E/P＝1.5时所述机电耦合系数Kt 2对应的掺杂浓度。本公开还涉及一种掺杂浓度确定方法，所述掺杂浓度为体声波谐振器的压电层的掺杂元素的掺杂浓度，所述谐振器具有机电耦合系数Kt 2，所述谐振器的谐振频率低于2.5GHz且具有层厚比E/P，所述方法包括步骤：基于层厚比E/P，选择所述掺杂浓度不小于a1，a1为谐振器层厚比E/P＝1.5时所述机电耦合系数Kt 2对应的掺杂浓度。本公开也涉及一种滤波器和一种电子设备。
