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1. WO2022068324 - PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE, STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET MÉMOIRE

Numéro de publication WO/2022/068324
Date de publication 07.04.2022
N° de la demande internationale PCT/CN2021/106921
Date du dépôt international 16.07.2021
CIB
H01L 49/02 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02Dispositifs à film mince ou à film épais
CPC
H01L 27/108
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
108Dynamic random access memory structures
H01L 49/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
49Solid state devices not provided for in groups H01L27/00 - H01L47/00 and H01L51/00 and not provided for in any other subclass; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
02Thin-film or thick-film devices
Déposants
  • 长鑫存储技术有限公司 CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 杜永好 DU, Yonghao
Mandataires
  • 北京律智知识产权代理有限公司 BEIJING INTELLEGAL INTELLECTUAL PROPERTY AGENT LTD.
Données relatives à la priorité
202011057546.229.09.2020CN
Langue de publication Chinois (zh)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE FABRICATION METHOD, SEMICONDUCTOR STRUCTURE, AND MEMORY
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE, STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET MÉMOIRE
(ZH) 半导体结构的制造方法、半导体结构及存储器
Abrégé
(EN) The present disclosure belongs to the technical field of semiconductors, and provides a semiconductor structure fabrication method, a semiconductor structure, and a memory. The semiconductor structure fabrication method comprises: providing a substrate; forming a lower electrode on the substrate; forming a capacitive dielectric layer on the surface of the lower electrode, wherein the capacitive dielectric layer comprises at least one zirconium oxide layer; performing a microwave annealing treatment on the capacitive dielectric layer so as to change the crystalline phase of the zirconium oxide to a tetragonal phase; and forming an upper electrode on the surface of the capacitive dielectric layer. By means of the semiconductor structure fabrication method provided by the present disclosure, a microwave annealing treatment is performed on the capacitive dielectric layer. The microwave annealing treatment can cause the zirconia to change from a monoclinic phase to a tetragonal phase, thereby increasing the dielectric constant of the zirconium oxide and increasing the capacitance of the semiconductor structure. Without changing the material of the capacitive dielectric layer, the present disclosure increases the dielectric constant of the capacitive dielectric layer simply by means of a microwave annealing treatment. The method has a simple process, is low in cost, and has a high application value.
(FR) La présente invention appartient au domaine technique des semi-conducteurs; et concerne un procédé de fabrication de structure semi-conductrice, une structure semi-conductrice et une mémoire. Le procédé de fabrication de structure semi-conductrice consiste à : fournir un substrat ; former une électrode inférieure sur le substrat ; former une couche diélectrique capacitive sur la surface de l'électrode inférieure, la couche diélectrique capacitive comprenant au moins une couche d'oxyde de zirconium ; effectuer un traitement de recuit par micro-ondes sur la couche diélectrique capacitive de manière à changer la phase cristalline de l'oxyde de zirconium en une phase tétragonale ; et former une électrode supérieure sur la surface de la couche diélectrique capacitive. Grâce au procédé de fabrication de structure semi-conductrice selon la présente invention, un traitement de recuit par micro-ondes est réalisé sur la couche diélectrique capacitive. Le traitement de recuit par micro-ondes peut amener la zircone à passer d'une phase monoclinique à une phase tétragonale, ce qui permet d'augmenter la constante diélectrique de l'oxyde de zirconium et d'augmenter la capacité de la structure semi-conductrice. Sans changer le matériau de la couche diélectrique capacitive, la présente invention augmente la constante diélectrique de la couche diélectrique capacitive simplement au moyen d'un traitement de recuit par micro-ondes. Le procédé est un processus simple, est peu coûteux, et présente une valeur d'application élevée.
(ZH) 本公开提供了一种半导体结构制造方法、半导体结构及存储器,属于半导体技术领域。该半导体结构制造方法包括提供衬底;在衬底上形成下电极;在下电极表面形成电容介电层,电容介电层包括至少一层氧化锆层;对电容介电层进行微波退火处理,以改变氧化锆的晶相至四方晶相;在电容介电层表面形成上电极。本公开提供的半导体结构的制造方法,对电容介电层进行微波退火处理,微波退火处理可以改变氧化锆的晶相,使得氧化锆由单斜晶相转变为四方晶相,从而提高氧化锆的介电常数,提高半导体结构的电容量。本公开在更不换电容介电层材料的基础上,仅仅通过微波退火处理使电容介电层的介电常数增加,该方法工艺简单、成本低,具有很高的应用价值。
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