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1. WO2022067698 - SUBSTRAT D'AFFICHAGE, PANNEAU D'AFFICHAGE ET APPAREIL D'AFFICHAGE

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Numéro de publication WO/2022/067698
Date de publication 07.04.2022
N° de la demande internationale PCT/CN2020/119472
Date du dépôt international 30.09.2020
CIB
H01L 27/12 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 29/423 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
41caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
423ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 27/32 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
32avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
CPC
H01L 27/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
H01L 27/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
32with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
H01L 29/423
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
423not carrying the current to be rectified, amplified or switched
Déposants
  • 京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN]/[CN]
  • 成都京东方光电科技有限公司 CHENGDU BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 贵炳强 GUI, Bingqiang
  • 于洋 YU, Yang
  • 黄鹏 HUANG, Peng
  • 高涛 GAO, Tao
  • 李文强 LI, Wenqiang
  • 刘珂 LIU, Ke
Mandataires
  • 中科专利商标代理有限责任公司 CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.
Données relatives à la priorité
Langue de publication Chinois (zh)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) DISPLAY SUBSTRATE, DISPLAY PANEL, AND DISPLAY APPARATUS
(FR) SUBSTRAT D'AFFICHAGE, PANNEAU D'AFFICHAGE ET APPAREIL D'AFFICHAGE
(ZH) 显示基板、显示面板和显示装置
front page image
Abrégé
(EN) A display substrate, a display panel (110), and a display apparatus (1000). The display substrate comprises a base substrate (10), and a first transistor (T1) arranged on the base substrate (10). The first transistor (T1) comprises a first active layer (20a), a first bottom gate (G11), and a first top gate (G12). The first bottom gate (G11) is located between the base substrate (10) and the first active layer (20a); the first top gate (G12) is located on the side of the first active layer (20a) away from the base substrate (10); orthographic projections of any two of the first active layer (20a), the first bottom gate (G11), and the first top gate (G12) on the base substrate (10) at least partially overlap with each other; a third gate insulating layer (GI3) is arranged between the first bottom gate (G11) and the first active layer (20a); the first active layer (20a) comprises an oxide semiconductor material; the third gate insulating layer (GI3) comprises a silicon oxide material; the surface of the first top gate (G12) far away from the base substrate (10) is in direct contact with the silicon oxide material; and the surface of the first active layer (20a) close to the base substrate (10) is in direct contact with the silicon oxide material.
(FR) L'invention concerne un substrat d'affichage, un panneau d'affichage (110) et un appareil d'affichage (1000). Le substrat d'affichage comporte un substrat de base (10), et un premier transistor (T1) disposé sur le substrat de base (10). Le premier transistor (T1) comprend une première couche active (20a), une première grille inférieure (G11) et une première grille supérieure (G12). La première grille inférieure (G11) est située entre le substrat de base (10) et la première couche active (20a) ; la première grille supérieure (G12) est située sur le côté de la première couche active (20a) à l'opposé du substrat de base (10) ; des projections orthographiques de deux quelconques de la première couche active (20a), la première grille inférieure (G11), et la première grille supérieure (G12) sur le substrat de base (10) se chevauchent au moins partiellement l'une avec l'autre ; une troisième couche d'isolation de grille (GI3) est disposée entre la première grille inférieure (G11) et la première couche active (20a) ; la première couche active (20a) comprend un matériau semi-conducteur à oxyde ; la troisième couche d'isolation de grille (GI3) comprend un matériau d'oxyde de silicium ; la surface de la première grille supérieure (G12) éloignée du substrat de base (10) est en contact direct avec le matériau d'oxyde de silicium ; et la surface de la première couche active (20a) à proximité du substrat de base (10) est en contact direct avec le matériau d'oxyde de silicium.
(ZH) 一种显示基板、显示面板(110)和显示装置(1000)。显示基板包括衬底基板(10)；设置于衬底基板(10)的第一晶体管(T1)。第一晶体管(T1)包括第一有源层(20a)、第一底栅(G11)和第一顶栅(G12)，第一底栅(G11)位于衬底基板(10)与第一有源层(20a)之间，第一顶栅(G12)位于第一有源层(20a)远离衬底基板(10)的一侧，第一有源层(20a)、第一底栅(G11)和第一顶栅(G12)中的任意两个在衬底基板(10)上的正投影彼此至少部分重叠，第一底栅(G11)和第一有源层(20a)之间设置有第三栅绝缘层(GI3)，第一有源层(20a)包括氧化物半导体材料，第三栅绝缘层(GI3)包括氧化硅材料，第一顶栅(G12)远离衬底基板(10)的表面与氧化硅材料直接接触，第一有源层(20a)靠近衬底基板(10)的表面与氧化硅材料直接接触。
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