(EN) A display substrate, a display panel (110), and a display apparatus (1000). The display substrate comprises a base substrate (10), and a first transistor (T1) arranged on the base substrate (10). The first transistor (T1) comprises a first active layer (20a), a first bottom gate (G11), and a first top gate (G12). The first bottom gate (G11) is located between the base substrate (10) and the first active layer (20a); the first top gate (G12) is located on the side of the first active layer (20a) away from the base substrate (10); orthographic projections of any two of the first active layer (20a), the first bottom gate (G11), and the first top gate (G12) on the base substrate (10) at least partially overlap with each other; a third gate insulating layer (GI3) is arranged between the first bottom gate (G11) and the first active layer (20a); the first active layer (20a) comprises an oxide semiconductor material; the third gate insulating layer (GI3) comprises a silicon oxide material; the surface of the first top gate (G12) far away from the base substrate (10) is in direct contact with the silicon oxide material; and the surface of the first active layer (20a) close to the base substrate (10) is in direct contact with the silicon oxide material.
(FR) L'invention concerne un substrat d'affichage, un panneau d'affichage (110) et un appareil d'affichage (1000). Le substrat d'affichage comporte un substrat de base (10), et un premier transistor (T1) disposé sur le substrat de base (10). Le premier transistor (T1) comprend une première couche active (20a), une première grille inférieure (G11) et une première grille supérieure (G12). La première grille inférieure (G11) est située entre le substrat de base (10) et la première couche active (20a) ; la première grille supérieure (G12) est située sur le côté de la première couche active (20a) à l'opposé du substrat de base (10) ; des projections orthographiques de deux quelconques de la première couche active (20a), la première grille inférieure (G11), et la première grille supérieure (G12) sur le substrat de base (10) se chevauchent au moins partiellement l'une avec l'autre ; une troisième couche d'isolation de grille (GI3) est disposée entre la première grille inférieure (G11) et la première couche active (20a) ; la première couche active (20a) comprend un matériau semi-conducteur à oxyde ; la troisième couche d'isolation de grille (GI3) comprend un matériau d'oxyde de silicium ; la surface de la première grille supérieure (G12) éloignée du substrat de base (10) est en contact direct avec le matériau d'oxyde de silicium ; et la surface de la première couche active (20a) à proximité du substrat de base (10) est en contact direct avec le matériau d'oxyde de silicium.
(ZH) 一种显示基板、显示面板(110)和显示装置(1000)。显示基板包括衬底基板(10);设置于衬底基板(10)的第一晶体管(T1)。第一晶体管(T1)包括第一有源层(20a)、第一底栅(G11)和第一顶栅(G12),第一底栅(G11)位于衬底基板(10)与第一有源层(20a)之间,第一顶栅(G12)位于第一有源层(20a)远离衬底基板(10)的一侧,第一有源层(20a)、第一底栅(G11)和第一顶栅(G12)中的任意两个在衬底基板(10)上的正投影彼此至少部分重叠,第一底栅(G11)和第一有源层(20a)之间设置有第三栅绝缘层(GI3),第一有源层(20a)包括氧化物半导体材料,第三栅绝缘层(GI3)包括氧化硅材料,第一顶栅(G12)远离衬底基板(10)的表面与氧化硅材料直接接触,第一有源层(20a)靠近衬底基板(10)的表面与氧化硅材料直接接触。