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1. WO2022050621 - STRUCTURE INTERMÉDIAIRE POUR FABRIQUER UN ÉCRAN À MICRO-DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉCRAN À MICRO-DEL

Numéro de publication WO/2022/050621
Date de publication 10.03.2022
N° de la demande internationale PCT/KR2021/011256
Date du dépôt international 24.08.2021
CIB
H01L 33/00 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01L 27/15 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/44 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
44caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/56 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
52Encapsulations
56Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
H01L 25/075 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
075les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L33/81
CPC
H01L 21/6835
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
6835using temporarily an auxiliary support
H01L 2221/68322
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2221Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
68304using temporarily an auxiliary support
68318Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
68322Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
H01L 2221/68354
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2221Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
68304using temporarily an auxiliary support
68354used to support diced chips prior to mounting
H01L 2221/68368
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2221Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
68304using temporarily an auxiliary support
68368used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
H01L 2221/68381
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2221Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
68304using temporarily an auxiliary support
68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
H01L 2224/95
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
93Batch processes
95at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
Déposants
  • SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR]/[KR]
Inventeurs
  • TAKAGI, Takashi
Mandataires
  • SELIM INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM
Données relatives à la priorité
10-2021-006528221.05.2021KR
2020-14678001.09.2020JP
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) INTERMEDIATE STRUCTURE FOR MANUFACTURING MICRO LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING MICRO LED DISPLAY
(FR) STRUCTURE INTERMÉDIAIRE POUR FABRIQUER UN ÉCRAN À MICRO-DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉCRAN À MICRO-DEL
Abrégé
(EN) An intermediate structure for manufacturing a micro LED display includes a transparent substrate that is configured to allow laser light of a certain wavelength to be transmitted there through, a first resin layer arranged on the transparent substrate, a second resin layer arranged on the first resin layer, and a plurality of micro LED chips arranged on the second resin layer. The first resin layer and the second resin layer are patterned to correspond to the plurality of micro LED chips.
(FR) Une structure intermédiaire pour fabriquer un écran à micro-DEL comprend un substrat transparent qui est configuré pour permettre à une lumière laser d'une certaine longueur d'onde d'être transmise à travers celui-ci, une première couche de résine disposée sur le substrat transparent, une seconde couche de résine disposée sur la première couche de résine, et une pluralité de puces de micro-DEL disposées sur la seconde couche de résine. La première couche de résine et la seconde couche de résine sont configurées pour correspondre à la pluralité de puces de micro-DEL.
Documents de brevet associés
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