(EN) Provided are a thermoelectric element and a thermoelectric device that utilize the Ettingshausen effect and have high energy efficiency. The thermoelectric element 104 comprises a metalloid or a semiconductor having a bandgap of less than or equal to 0.5 eV, wherein, when a current I flows in one direction and a magnetic field H is applied in a direction orthogonal to the current I, a temperature gradient (Tc to Th) is generated in a direction orthogonal to both the current I and the magnetic field H. The thermoelectric device is provided with a plurality of thermoelectric elements 104 each having a shape extending in one direction, wherein the plurality of thermoelectric elements 104 are disposed on a substrate 102 so that the longitudinal directions of the plurality of thermoelectric elements 104 are parallel to each other.
(FR) L'invention concerne un élément thermoélectrique et un dispositif thermoélectrique qui utilisent l'effet Ettingshausen et ont un rendement énergétique élevé. L'élément thermoélectrique 104 comprend un métalloïde ou un semi-conducteur ayant une bande interdite inférieure ou égale à 0,5 eV ; lorsqu'un courant I circule dans une direction et un champ magnétique H est appliqué dans une direction orthogonale au courant I, un gradient de température (Tc à Th) est généré dans une direction orthogonale aussi bien au courant I qu'au champ magnétique H. Le dispositif thermoélectrique est pourvu d'une pluralité d'éléments thermoélectriques 104 ayant chacun une forme s'étendant dans une direction, la pluralité d'éléments thermoélectriques 104 étant disposés sur un substrat 102 de telle sorte que les directions longitudinales de la pluralité d'éléments thermoélectriques 104 soient parallèles entre elles.
(JA) エッティングスハウゼン効果を用いたエネルギー効率の良い熱電素子及び熱電装置を提供する。熱電素子１０４は、半金属又はバンドギャップが０．５ｅＶ以下の半導体からなり、一方向に電流Ｉを流し、電流Ｉと直交する方向に磁場Ｈを印加すると、電流Ｉと磁場Ｈの双方に直交する方向に温度勾配（Ｔｃ→Ｔｈ）が生じる。熱電装置は、各々が一方向に延在した形状をなす複数の熱電素子１０４を備えており、複数の熱電素子１０４は、それぞれの長手方向が平行になるように基板１０２に配置されている。
