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1. WO2022045249 - ÉLÉMENT THERMOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF THERMOÉLECTRIQUE

Numéro de publication WO/2022/045249
Date de publication 03.03.2022
N° de la demande internationale PCT/JP2021/031369
Date du dépôt international 26.08.2021
CIB
H01L 37/04 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
37Dispositifs thermoélectriques sans jonction de matériaux différents; Dispositifs thermomagnétiques, p.ex. utilisant l'effet Nernst-Ettinghausen; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
04utilisant le changement thermique de la perméabilité magnétique, p.ex. en opérant au-dessus et en-dessous du point de Curie
H01L 27/22 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
22comprenant des composants utilisant les effets galvanomagnétiques, p.ex. effet Hall; utilisant des effets de champ magnétique analogues
H02N 11/00 2006.1
HÉLECTRICITÉ
02PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
NMACHINES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
11Générateurs ou moteurs non prévus ailleurs; Mouvements dits perpétuels obtenus par des moyens électriques ou magnétiques
CPC
H01L 27/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
22including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effects; using similar magnetic field effects
H01L 37/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
37Thermoelectric devices without a junction of dissimilar materials; Thermomagnetic devices, e.g. using Nernst-Ettinghausen effect; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
H01L 37/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
37Thermoelectric devices without a junction of dissimilar materials; Thermomagnetic devices, e.g. using Nernst-Ettinghausen effect; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04using thermal change of magnetic permeability, e.g. working above and below the Curie point ; , e.g. pyromagnetic devices
H02N 11/00
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
11Generators or motors not provided for elsewhere; Alleged perpetua mobilia obtained by electric or magnetic means
Déposants
  • 国立大学法人東京大学 THE UNIVERSITY OF TOKYO [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 中▲辻▼ 知 NAKATSUJI Satoru
  • 酒井 明人 SAKAI Akito
Mandataires
  • 特許業務法人ドライト国際特許事務所 DORAIT IP LAW FIRM
Données relatives à la priorité
2020-14633831.08.2020JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) THERMOELECTRIC ELEMENT AND THERMOELECTRIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT THERMOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF THERMOÉLECTRIQUE
(JA) 熱電素子及び熱電装置
Abrégé
(EN) Provided are a thermoelectric element and a thermoelectric device that utilize the Ettingshausen effect and have high energy efficiency. The thermoelectric element 104 comprises a metalloid or a semiconductor having a bandgap of less than or equal to 0.5 eV, wherein, when a current I flows in one direction and a magnetic field H is applied in a direction orthogonal to the current I, a temperature gradient (Tc to Th) is generated in a direction orthogonal to both the current I and the magnetic field H. The thermoelectric device is provided with a plurality of thermoelectric elements 104 each having a shape extending in one direction, wherein the plurality of thermoelectric elements 104 are disposed on a substrate 102 so that the longitudinal directions of the plurality of thermoelectric elements 104 are parallel to each other.
(FR) L'invention concerne un élément thermoélectrique et un dispositif thermoélectrique qui utilisent l'effet Ettingshausen et ont un rendement énergétique élevé. L'élément thermoélectrique 104 comprend un métalloïde ou un semi-conducteur ayant une bande interdite inférieure ou égale à 0,5 eV ; lorsqu'un courant I circule dans une direction et un champ magnétique H est appliqué dans une direction orthogonale au courant I, un gradient de température (Tc à Th) est généré dans une direction orthogonale aussi bien au courant I qu'au champ magnétique H. Le dispositif thermoélectrique est pourvu d'une pluralité d'éléments thermoélectriques 104 ayant chacun une forme s'étendant dans une direction, la pluralité d'éléments thermoélectriques 104 étant disposés sur un substrat 102 de telle sorte que les directions longitudinales de la pluralité d'éléments thermoélectriques 104 soient parallèles entre elles.
(JA) エッティングスハウゼン効果を用いたエネルギー効率の良い熱電素子及び熱電装置を提供する。熱電素子104は、半金属又はバンドギャップが0.5eV以下の半導体からなり、一方向に電流Iを流し、電流Iと直交する方向に磁場Hを印加すると、電流Iと磁場Hの双方に直交する方向に温度勾配(T→T)が生じる。熱電装置は、各々が一方向に延在した形状をなす複数の熱電素子104を備えており、複数の熱電素子104は、それぞれの長手方向が平行になるように基板102に配置されている。
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