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1. WO2022045136 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2022/045136
Date de publication 03.03.2022
N° de la demande internationale PCT/JP2021/030996
Date du dépôt international 24.08.2021
CIB
H01L 29/78 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/417 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
41caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
417transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/739 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70Dispositifs bipolaires
72Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
739commandés par effet de champ
CPC
H01L 29/417
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
417carrying the current to be rectified, amplified or switched
H01L 29/739
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
70Bipolar devices
72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
739controlled by field-effect, ; e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
H01L 29/78
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
Déposants
  • 株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 合田 健太 GOUDA Kenta
  • 野中 裕介 NONAKA Yusuke
  • 萩野 勇志 HAGINO Takeshi
Mandataires
  • 弁理士法人ゆうあい特許事務所 YOU-I PATENT FIRM
Données relatives à la priorité
2020-14262926.08.2020JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abrégé
(EN) According to the present invention, the length of a cell part (2) in one direction is set as the length of a second impurity region (14) in one direction, and a contact region (14b) for the second impurity region extends from a cell part (1) to an outer peripheral part (2). When the length in one direction of a portion of the contact region (14b) for the second impurity region, which extends to the outer peripheral part (2), is set as a protrusion length d, and the length of the second impurity region (14) in one direction is set as a second impurity region length A, a ratio d/A of the protrusion length d to the second impurity region length A is set to 0.1 or less.
(FR) Selon la présente invention, la longueur d'une partie de cellule (2) dans une direction est définie en tant que longueur d'une seconde région d'impuretés (14) dans une direction, et une région de contact (14b) pour la seconde région d'impuretés s'étend d'une partie de cellule (1) à une partie périphérique externe (2). Lorsque la longueur dans une direction d'une partie de la région de contact (14b) pour la seconde région d'impuretés, qui s'étend jusqu'à la partie périphérique externe (2), est définie en tant que longueur de saillie d, et la longueur de la seconde région d'impuretés (14) dans une direction est définie en tant que seconde longueur de région d'impuretés A, un rapport d/A de la longueur de saillie d sur la seconde longueur de région d'impuretés A est fixé à 0,1 ou moins.
(JA) セル部(2)における一方向に沿った長さは、第2不純物領域(14)における一方向に沿った長さとし、第2不純物領域用コンタクト領域(14b)は、セル部(1)から外周部(2)まで延設されるようにする。そして、第2不純物領域用コンタクト領域(14b)における外周部(2)に延設された部分の一方向に沿った長さを突出長さdとし、第2不純物領域(14)における一方向に沿った長さを第2不純物領域長さAとすると、第2不純物領域長さAに対する突出長さdの比であるd/Aが0.1以下となるようにする。
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