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1. WO2022042336 - CHAMBRE DE RÉACTION SEMI-CONDUCTRICE ET ÉQUIPEMENT DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2022/042336
Date de publication 03.03.2022
N° de la demande internationale PCT/CN2021/112501
Date du dépôt international 13.08.2021
CIB
H01J 37/18 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
02Détails
18Fermetures étanches
H01J 37/32 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
C23C 14/54 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
54Commande ou régulation du processus de revêtement
C23C 16/52 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
52Commande ou régulation du processus de dépôt
CPC
C23C 14/54
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
54Controlling or regulating the coating process
C23C 16/52
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
52Controlling or regulating the coating process
H01J 37/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
02Details
18Vacuum locks ; ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
H01J 37/32816
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
32816Pressure
H01L 21/67253
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Déposants
  • 北京北方华创微电子装备有限公司 BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 刘建 LIU, Jian
Mandataires
  • 北京天昊联合知识产权代理有限公司 TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS
Données relatives à la priorité
202010862511.X25.08.2020CN
Langue de publication Chinois (zh)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR REACTION CHAMBER AND SEMICONDUCTOR PROCESSING EQUIPMENT
(FR) CHAMBRE DE RÉACTION SEMI-CONDUCTRICE ET ÉQUIPEMENT DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 半导体反应腔室及半导体加工设备
Abrégé
(EN) Disclosed in the present invention are a semiconductor reaction chamber and a semiconductor processing equipment. The semiconductor reaction chamber comprises a cavity, an electrostatic chuck, a functional wire and an air pressure adjusting device; the cavity defines an inner cavity; the electrostatic chuck is located in the inner cavity and comprises a base body and a functional layer arranged on the base body, the base body and the functional layer are fixed by bonding, the base body is provided with a wiring channel, the functional layer covers a port of the wiring channel, and the functional layer and the base body enclose the wiring channel to form an accommodating cavity; the functional wire passes through the wiring channel and is in contact with the functional layer; and the air pressure adjusting device is communicated with the accommodating cavity and is used to balance the air pressure in the accommodating cavity and the air pressure in the inner cavity. This solution can solve the problem of low connection reliability of various components of an electrostatic chuck due to unbalanced air pressure inside a semiconductor reaction chamber and an accommodating cavity of the electrostatic chuck.
(FR) La présente invention concerne une chambre de réaction semi-conductrice et un équipement de traitement de semi-conducteur. La chambre de réaction semi-conductrice comprend une cavité, un mandrin électrostatique, un fil fonctionnel et un dispositif de réglage de pression d'air ; la cavité définit une cavité interne ; le mandrin électrostatique est situé dans la cavité interne et comprend un corps de base et une couche fonctionnelle disposée sur le corps de base, le corps de base et la couche fonctionnelle sont fixés par liaison, le corps de base comporte un canal de câblage, la couche fonctionnelle recouvre un orifice du canal de câblage, et la couche fonctionnelle et le corps de base entourent le canal de câblage pour former une cavité de réception ; le fil fonctionnel traverse le canal de câblage et est en contact avec la couche fonctionnelle ; et le dispositif de réglage de pression d'air est en communication avec la cavité de réception et est utilisé pour équilibrer la pression d'air dans la cavité de réception et la pression d'air dans la cavité interne. Cette solution peut résoudre le problème de faible fiabilité de connexion de divers composants d'un mandrin électrostatique en raison d'une pression d'air déséquilibrée à l'intérieur d'une chambre de réaction semi-conductrice et d'une cavité de réception du mandrin électrostatique.
(ZH) 本发明公开一种半导体反应腔室及半导体加工设备,半导体反应腔室包括腔体、静电卡盘、功能接线和气压调节装置;腔体围成内腔;静电卡盘位于内腔中,静电卡盘包括基体和设置于基体上的功能层,且基体与功能层通过粘接固定,基体中开设有接线通道,功能层覆盖接线通道的端口,且与基体将接线通道围成容纳腔;功能接线穿过接线通道,且与功能层接触;气压调节装置与容纳腔连通,用于平衡容纳腔内的气压与所述内腔中的气压。本方案能够解决由于半导体反应腔室内部与静电卡盘的容纳腔内部的气压不均衡,导致静电卡盘各部件的连接可靠性较低的问题。
Documents de brevet associés
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