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1. WO2022005019 - DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2022/005019
Date de publication 06.01.2022
N° de la demande internationale PCT/KR2021/006516
Date du dépôt international 25.05.2021
CIB
H01L 33/38 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
38ayant une forme particulière
Déposants
  • 주식회사 에스엘바이오닉스 SL VIONICS CO., LTD. [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 진근모 JIN, Geun Mo
Mandataires
  • 안상정 AN, Sang Jeong
Données relatives à la priorité
10-2020-008089301.07.2020KR
Langue de publication Coréen (ko)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(KO) 반도체 발광소자
Abrégé
(EN) The present disclosure relates to a semiconductor light-emitting device comprising: a first light-emitting unit and a second light-emitting unit, wherein each light-emitting unit includes a plurality of semiconductor layers in which a first semiconductor layer having a first conductivity, an active layer for generating light through recombination of electrons and holes, and a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity are sequentially stacked; a first insulating layer formed between the first light-emitting unit and the second light-emitting unit and covering each of the plurality of semiconductor layers, the first insulating layer reflecting the light generated in the active layer; a connection electrode electrically connecting the first light-emitting unit and the second light-emitting unit; a first electrode which electrically communicates with the first semiconductor layer of the first light-emitting unit and is a pad electrode; a second electrode which electrically communicates with the second semiconductor layer of the second light-emitting unit and is a pad electrode; a second insulating layer forming a first exposed portion exposing the first electrode of the first light-emitting unit and a second exposed portion exposing the second electrode of the second light-emitting unit.
(FR) La présente invention concerne un dispositif électroluminescent à semi-conducteur comprenant : une première unité électroluminescente et une seconde unité électroluminescente, chaque unité électroluminescente comprenant une pluralité de couches semi-conductrices dans lesquelles une première couche semi-conductrice ayant une première conductivité, une couche active pour générer de la lumière par recombinaison d'électrons et de trous, et une seconde couche semi-conductrice ayant une seconde conductivité différente de la première conductivité sont empilées séquentiellement ; une première couche isolante formée entre la première unité électroluminescente et la seconde unité électroluminescente et recouvrant chacune de la pluralité de couches semi-conductrices, la première couche isolante réfléchissant la lumière générée dans la couche active ; une électrode de connexion connectant électriquement la première unité électroluminescente et la seconde unité électroluminescente ; une première électrode qui communique électriquement avec la première couche semi-conductrice de la première unité électroluminescente et qui est une électrode de pastille ; une seconde électrode qui communique électriquement avec la seconde couche semi-conductrice de la seconde unité électroluminescente et qui est une électrode de pastille ; une seconde couche isolante formant une première partie exposée exposant la première électrode de la première unité électroluminescente et une seconde partie exposée exposant la seconde électrode de la seconde unité électroluminescente.
(KO) 본 개시는 반도체 발광소자자(SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE)에 있어서, 제1 발광부 및 제2 발광부;로서, 각 발광부는: 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층 및 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층이 순차로 적층된 복수의 반도체층을 포함하는 제1 발광부 및 제2 발광부; 제1 발광부와 제2 발광부의 사이 및 각각의 복수의 반도체층을 덮도록 형성되며, 활성층에서 생성된 빛을 반사하는 제1 절연층; 제1 발광부와 제2 발광부를 전기적으로 연결하는 연결전극; 제1 발광부의 제1 반도체층과 전기적으로 연통되며, 패드전극인 제1 전극; 제2 발광부의 제2 반도체층과 전기적으로 연통되며, 패드전극인 제2 전극; 그리고, 제1 발광부의 제1 전극을 노출시키는 제1 노출부 및 제2 발광부의 제2 전극을 노출시키는 제2 노출부를 형성하는 제2 절연층;을 포함하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
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