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1. WO2022004149 - DIAMANT MONOCRISTALLIN SYNTHÉTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION

Numéro de publication WO/2022/004149
Date de publication 06.01.2022
N° de la demande internationale PCT/JP2021/018371
Date du dépôt international 14.05.2021
CIB
C30B 29/04 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02Eléments
04Diamant
B01J 3/06 2006.1
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
01PROCÉDÉS OU APPAREILS PHYSIQUES OU CHIMIQUES EN GÉNÉRAL
JPROCÉDÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES, p.ex. CATALYSE OU CHIMIE DES COLLOÏDES; APPAREILLAGE APPROPRIÉ
3Procédés utilisant une pression supérieure ou inférieure à la pression atmosphérique pour obtenir des modifications chimiques ou physiques de la matière; Appareils à cet effet
06Procédés utilisant des hyper-pressions, p.ex. pour la formation de diamants; Appareillage approprié, p.ex. moules ou matrices
C01B 32/26 2017.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
32Carbone; Ses composés
25Diamant
26Préparation
C30B 9/10 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
9Croissance des monocristaux à partir de bains fondus utilisant des solvants fondus
04par refroidissement du bain
08en utilisant d'autres solvants
10Solvants métalliques
C30B 33/04 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
33Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
04en utilisant des champs électriques ou magnétiques ou des rayonnements corpusculaires
Déposants
  • 住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 角谷 均 SUMIYA, Hitoshi
  • 李 真和 LEE, Jin Hwa
  • 寺本 三記 TERAMOTO, Minori
Mandataires
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
Données relatives à la priorité
2020-11305430.06.2020JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SYNTHETIC SINGLE CRYSTAL DIAMOND AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DIAMANT MONOCRISTALLIN SYNTHÉTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 合成単結晶ダイヤモンド及びその製造方法
Abrégé
(EN) A synthetic single crystal diamond containing 100-1500 ppm inclusive of nitrogen atoms, said synthetic single crystal diamond containing an aggregate consisting of a single pore and one of two to four nitrogen atoms existing adjacent to the pore, wherein the ratio b/a [wherein a stands for the length of the longer diagonal line and b stands for the length of the shorter diagonal line between the diagonal lines of a Knoop indentation along the direction <110> in the plane {001} of the synthetic single crystal diamond] is 0.08 or less, said Knoop indentation having been formed by measuring the Knoop hardness along the direction <100> in the plane {001} of the synthetic single crystal diamond in accordance with JIS Z 2251:2009 at a temperature of 23°C±5°C under a test load of 4.9 N.
(FR) L'invention concerne un diamant monocristallin synthétique contenant de 100 à 1500 ppm inclus d'atomes d'azote, ledit diamant monocristallin synthétique contenant un agrégat constitué d'un seul pore et de deux à quatre atomes d'azote existant à proximité du pore, le rapport b/a [a représentant la longueur de la ligne diagonale la plus longue et b représentant la longueur de la ligne diagonale la plus courte entre les lignes diagonales d'une empreinte de Knoop dans la direction <110> dans le plan {001} du diamant monocristallin synthétique] étant inférieur ou égal à 0,08, ladite empreinte de Knoop ayant été formée par mesure de la dureté Knoop dans la direction <100> dans le plan {001} du diamant monocristallin synthétique conformément à la norme JIS Z 2251:2009 à une température de 23 °C ± 5 °C avec une charge d'essai de 4,9 N
(JA) 100ppm以上1500ppm以下の窒素原子を含む合成単結晶ダイヤモンドであって、前記合成単結晶ダイヤモンドは、1つの空孔と、前記空孔に隣接して存在する2つから4つのいずれかの窒素原子と、からなる凝集体を含み、前記合成単結晶ダイヤモンドの{001}面における<110>方向のヌープ圧痕の対角線の長い方の対角線の長さaに対する短い方の対角線の長さbの比b/aは0.08以下であり、前記ヌープ圧痕は、前記合成単結晶ダイヤモンドの{001}面内の<100>方向のヌープ硬度をJIS Z 2251:2009に準拠して、温度23℃±5℃、及び、試験荷重4.9Nの条件で測定して形成される、合成単結晶ダイヤモンドである。
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