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1. WO2022000474 - ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2022/000474
Date de publication 06.01.2022
N° de la demande internationale PCT/CN2020/100151
Date du dépôt international 03.07.2020
CIB
H01L 33/00 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01L 33/48 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/60 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
58Éléments de mise en forme du champ optique
60Éléments réfléchissants
H01L 33/62 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
Déposants
  • 天津三安光电有限公司 TIANJIN SANAN OPTOELECTRONICS CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 林坤德 LIN, Kunte
  • 丘建生 QIU, Jiansheng
Données relatives à la priorité
Langue de publication Chinois (zh)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 一种半导体发光元件
Abrégé
(EN) Provided is a semiconductor light-emitting element, comprising: a semiconductor epitaxial stack, which has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and which comprises a first conductive type semiconductor layer, a second conductive type semiconductor layer, and an active layer located between the first conductive type semiconductor layer and the second conductive type semiconductor layer; a first electrode and a second electrode, which are located on the first surface of the semiconductor epitaxial stack and are electrically connected to the first conductive type semiconductor layer and the second conductive type semiconductor layer, respectively; and an insulating layer, which is located between the first electrode and the semiconductor epitaxial stack and between the second electrode and the semiconductor epitaxial stack. The semiconductor light-emitting element is characterized in further comprising an anti-ejector-pin buffer layer which is located between the insulating layer and the second conductive type semiconductor layer. According to the present invention, the design of the anti-ejector-pin buffer layer is achieved, which can prevent the ejection of an ejector pin from damaging the semiconductor light-emitting element during a packaging process, effectively protect the semiconductor light-emitting element, and increase the product yield of the semiconductor light-emitting element.
(FR) L'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur, comprenant : un empilement épitaxial semi-conducteur, qui a une première surface et une seconde surface opposée à la première surface, et qui comprend une couche semi-conductrice de premier type de conductivité, une couche semi-conductrice de second type de conductivité, et une couche active située entre la couche semi-conductrice de premier type de conductivité et la couche semi-conductrice de second type de conductivité ; une première électrode et une seconde électrode, qui sont situées sur la première surface de l'empilement épitaxial semi-conducteur et sont électriquement connectées à la couche semi-conductrice de premier type de conductivité et à la couche semi-conductrice de second type de conductivité, respectivement ; et une couche isolante, qui est située entre la première électrode et l'empilement épitaxial semi-conducteur et entre la seconde électrode et l'empilement épitaxial semi-conducteur. L'élément électroluminescent à semi-conducteur est caractérisé en ce qu'il comprend en outre une couche tampon anti-éjecteur-broche qui est située entre la couche isolante et la couche semi-conductrice de second type de conductivité. Selon la présente invention, la conception de la couche tampon anti-éjecteur-broche est obtenue, qui peut empêcher l'éjection d'une broche d'éjecteur d'endommager l'élément électroluminescent à semi-conducteur pendant un processus d'emballage, de protéger efficacement l'élément électroluminescent à semi-conducteur, et d'augmenter le rendement en produit de l'élément électroluminescent à semi-conducteur.
(ZH) 本发明提供一种半导体发光元件,包含半导体外延叠层,具有第一表面和与第一表面相对的第二表面,包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的活性层;第一电极和第二电极,位于半导体外延叠层的第一表面之上,分别与第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层进行电连接;绝缘层:位于第一电极和半导体外延叠层之间及第二电极和半导体外延叠层之间;其特征在于:还包括防顶针缓冲层,其位于绝缘层和第二导电类型半导体层之间。本发明通过防顶针缓冲层的设计,可避免封装过程中顶针顶伤半导体发光元件,有效地保护半导体发光元件,提升半导体发光元件的产品良率。
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