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1. WO2022000363 - DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2022/000363
Date de publication 06.01.2022
N° de la demande internationale PCT/CN2020/099697
Date du dépôt international 01.07.2020
CIB
H01L 29/778 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
778avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
Déposants
  • INNOSCIENCE (ZHUHAI) TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • ZHANG, Anbang
Mandataires
  • IDEA INTELLECTUAL (SHENZHEN) IP AGENCY
Données relatives à la priorité
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé
(EN) An electronic device includes a substrate, a transistor and a doped well. The substrate includes a first region and a second region different from the first region. The transistor is disposed on the first region of the substrate. The transistor includes a first nitride semiconductor layer disposed on the substrate, and a second nitride semiconductor layer disposed on the first nitride semiconductor layer. The second nitride semiconductor layer has a bandgap greater than that of the first nitride semiconductor layer. The doped well is disposed in the second region.
(FR) Un dispositif électronique comprend un substrat, un transistor et un puits dopé. Le substrat comprend une première région et une seconde région différente de la première région. Le transistor est disposé sur la première région du substrat. Le transistor comprend une première couche semi-conductrice de nitrure disposée sur le substrat, et une seconde couche semi-conductrice de nitrure disposée sur la première couche semi-conductrice de nitrure. La seconde couche semi-conductrice de nitrure a une bande interdite supérieure à celle de la première couche semi-conductrice de nitrure. Le puits dopé est disposé dans la seconde région.
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