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1. WO2021060577 - APPAREIL D'AFFICHAGE UTILISANT UNE MICRO-DEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2021/060577
Date de publication 01.04.2021
N° de la demande internationale PCT/KR2019/012438
Date du dépôt international 25.09.2019
CIB
H01L 27/15 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01L 21/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
CPC
H01L 21/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
H01L 2224/0344
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
03Manufacturing methods
034by blanket deposition of the material of the bonding area
0343in solid form
03436Lamination of a preform, e.g. foil, sheet or layer
0344by transfer printing
H01L 27/156
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
153in a repetitive configuration, e.g. LED bars
156two-dimensional arrays
H01L 33/0045
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0004Devices characterised by their operation
0045the devices being superluminescent diodes
Déposants
  • 엘지전자 주식회사 LG ELECTRONICS INC. [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 전지나 JEON, Jina
  • 김용대 KIM, Yongdae
  • 김명수 KIM, Myoungsoo
  • 김윤철 KIM, Yoonchul
  • 김정섭 KIM, Jungsub
  • 문성현 MOON, Sunghyun
  • 정연홍 JUNG, Yeonhong
Mandataires
  • 특허법인(유한)케이비케이 KBK & ASSOCIATES
Données relatives à la priorité
10-2019-011759424.09.2019KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) DISPLAY APPARATUS USING MICRO LED AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) APPAREIL D'AFFICHAGE UTILISANT UNE MICRO-DEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 마이크로 LED를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
Abrégé
(EN)
The present specification provides a manufacturing method for minimizing an arrangement error occurring in a process for transferring semiconductor light-emitting diodes, and a display apparatus using same. Particularly, by vacuum-compression or high-pressure compression of semiconductor light-emitting diodes with a transfer substrate including a flexible material having adhesiveness, the semiconductor light-emitting diodes can be transferred from a growth substrate (or assembly substrate) to the transfer substrate or from the transfer substrate to a wiring substrate, while minimizing arrangement errors. Here, a display apparatus according to an embodiment of the present invention comprises: a substrate; an adhesive layer located on the substrate and including protruding portions; semiconductor light-emitting diodes located on the adhesive layer; an insulating layer located on the semiconductor light-emitting diodes and the adhesive layer; and wiring electrodes electrically connected to the semiconductor light-emitting diodes, wherein the protruding portions of the adhesive layer are positioned at regular intervals to correspond to the shapes of the contact surfaces of the semiconductor light-emitting diodes in contact with the adhesive layer.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication pour minimiser une erreur d'agencement se produisant dans un processus de transfert de diodes électroluminescentes à semi-conducteur, et un appareil d'affichage l'utilisant. En particulier, par compression sous vide ou compression à haute pression de diodes électroluminescentes à semi-conducteur avec un substrat de transfert comprenant un matériau flexible ayant une adhésivité, les diodes électroluminescentes à semi-conducteur peuvent être transférées à partir d'un substrat de croissance (ou substrat d'assemblage)) au substrat de transfert ou du substrat de transfert à un substrat de câblage, tout en minimisant les erreurs d'agencement. Ici, un appareil d'affichage selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un substrat ; une couche adhésive située sur le substrat et comprenant des parties en saillie ; des diodes électroluminescentes à semi-conducteur situées sur la couche adhésive ; une couche isolante située sur les diodes électroluminescentes à semi-conducteur et la couche adhésive ; et des électrodes de câblage connectées électriquement aux diodes électroluminescentes à semi-conducteur, les parties en saillie de la couche adhésive étant positionnées à des intervalles réguliers pour correspondre aux formes des surfaces de contact des diodes électroluminescentes à semi-conducteur en contact avec la couche adhésive.
(KO)
본 명세서에서는 반도체 발광 소자의 전사 과정에서 발생하는 배열 오차를 최소화하는 제조 방법 및 이를 이용한 디스플레이 장치를 제공한다. 구체적으로, 접착력이 있는 유연소재를 포함하는 전사기판을 이용하여 반도체 발광 소자를 진공 압착 또는 고압 압착하여, 배열오차를 최소화하여 성장기판(또는 조립기판)에서 전사기판으로 또는 전사기판에서 배선기판으로 전사할 수 있다. 여기서 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 기판, 상기 기판 상에 위치하는 돌출부를 포함하는 접착층, 상기 접착층 상에 위치하는 반도체 발광 소자; 상기 반도체 발광 소자 및 상기 접착층 상에 위치하는 절연층 및 상기 반도체 발광 소자와 전기적으로 연결되는 배선 전극을 포함하고, 상기 접착층의 상기 돌출부는 상기 접착층과 접촉하는 상기 반도체 발광 소자의 접촉면의 형상에 대응하여 일정한 간격을 두고 위치하는 것을 특징으로 한다.
Également publié en tant que
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