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1. WO2021058540 - PUCE À SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTRICE DE RAYONNEMENT

Numéro de publication WO/2021/058540
Date de publication 01.04.2021
N° de la demande internationale PCT/EP2020/076529
Date du dépôt international 23.09.2020
CIB
H01L 33/14 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
14ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
H01L 33/40 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
40Matériaux
CPC
H01L 33/145
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
14with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
145with a current-blocking structure
H01L 33/405
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
40Materials therefor
405Reflective materials
Déposants
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Inventeurs
  • TANGRING, Ivar
Mandataires
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Données relatives à la priorité
10 2019 126 026.426.09.2019DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP
(EN) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE À SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTRICE DE RAYONNEMENT
Abrégé
(DE)
Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der dazu ausgebildet ist, im Betrieb elektromagnetische Strahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche (2) auszusenden, mit: - einem Träger (3), auf dem eine erste epitaktische Halbleiterschichtenfolge (4) eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite epitaktische Halbleiterschichtenfolge (5) eines vom ersten Leitfähigkeitstyp verschiedenen zweiten Leitfähigkeitstyps angeordnet sind, - einer ersten Stromaufweitungsschicht (7), die zwischen der ersten Halbleiterschichtenfolge (4) und dem Träger (3) angeordnet ist, - einer zweiten Stromaufweitungsschicht (8), die zwischen der ersten Stromaufweitungsschicht (7) und dem Träger (3) angeordnet ist, - einer dielektrischen Schicht (9), die bereichsweise zwischen der ersten Stromaufweitungsschicht (7) und der zweiten Stromaufweitungsschicht (8) angeordnet ist, - einer reflektierenden Schicht (10), die zwischen der zweiten Stromaufweitungsschicht (8) und dem Träger (3) angeordnet ist, und - einer elektrisch isolierenden Schicht (11), die bereichsweise zwischen der zweiten Stromaufweitungsschicht (8) und der reflektierenden Schicht (10) angeordnet ist.
(EN)
The invention relates to a radiation-emitting semiconductor chip (1) which is designed to emit electromagnetic radiation from a radiation emission surface (2) during operation, comprising: - a support (3), on which a first epitaxial semiconductor layer sequence (4) of a first conductivity type and a second epitaxial semiconductor layer sequence (5) of a second conductivity type, which is different from the first conductivity type are disposed, - a first current spreading layer (7), which is arranged between the first semiconductor layer sequence (4) and the support (3), - a second current spreading layer (8), which is arranged between the first current expansion layer (7) and the support (3), - a dielectric layer (9), which is arranged in regions between the first current spreading layer (7) and the second current spreading layer (8), - a reflective layer (10), which is arranged between the second current spreading layer (8) and the support (3), and - an electrically insulating layer (11), which is arranged in regions between the second current spreading layer (8) and the reflective layer (10).
(FR)
L'invention concerne une puce à semi-conducteur émettrice de rayonnement (1) qui est conçue pour émettre un rayonnement électromagnétique à partir d'une surface d'émission de rayonnement (2) pendant le fonctionnement, comprenant : - Un support (3), sur lequel une première séquence de couches semi-conductrices épitaxiales (4) d'un premier type de conductivité et d'une seconde séquence de couches semi-conductrices épitaxiales (5) d'un second type de conductivité, qui est différent du premier type de conductivité sont disposées, -Une première couche d'étalement de courant (7), qui est disposée entre la première séquence de couches semi-conductrices (4) et le support (3),- Une seconde couche d'étalement de courant (8), qui est disposée entre la première couche d'expansion de courant (7) et le support (3),- Une couche diélectrique (9), qui est disposée dans des régions entre la première couche d'étalement de courant (7) et la seconde couche d'étalement de courant (8),- Une couche réfléchissante (10), qui est disposée entre la seconde couche d'étalement de courant (8) et le support (3), et - Une couche électriquement isolante (11), qui est disposée dans des régions entre la seconde couche d'étalement de courant (8) et la couche réfléchissante (10).
Également publié en tant que
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