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1. WO2021057874 - DISPOSITIF D'ALIMENTATION DE NITRURE DE GALLIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2021/057874
Date de publication 01.04.2021
N° de la demande internationale PCT/CN2020/117576
Date du dépôt international 25.09.2020
CIB
H01L 29/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/872 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
86commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861Diodes
872Diodes Schottky
H01L 21/329 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
328Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors
329les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
CPC
H01L 29/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
H01L 29/872
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
86controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
861Diodes
872Schottky diodes
Déposants
  • 东南大学 SOUTHEAST UNIVERSITY [CN]/[CN]
  • 无锡华润上华科技有限公司 CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 刘斯扬 LIU, Siyang
  • 李宁波 LI, Ningbo
  • 王德进 WANG, Dejin
  • 肖魁 XIAO, Kui
  • 张弛 ZHANG, Chi
  • 李胜 LI, Sheng
  • 陶心怡 TAO, Xinyi
  • 孙伟锋 SUN, Weifeng
  • 时龙兴 SHI, Longxing
Mandataires
  • 广州华进联合专利商标代理有限公司 ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE
Données relatives à la priorité
201910919577.526.09.2019CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) GALLIUM NITRIDE POWER DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF D'ALIMENTATION DE NITRURE DE GALLIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 氮化镓功率器件及其制造方法
Abrégé
(EN)
A gallium nitride power device, comprising: a gallium nitride substrate (10); cathodes (20); a plurality of gallium nitride bump structures (12) that are disposed on the gallium nitride substrate (10) and between the cathodes (20), wherein grooves are formed between adjacent gallium nitride bump structures (12); an electron mobility layer, which covers the top parts and side surfaces of the gallium nitride bump structures (12); a gallium nitride layer (14), which is disposed on the electron mobility layer and fills the grooves, the electron mobility layer being used to form a conductive channel region at the arranged position, and the electron mobility of the conductive channel region being higher than the electron mobility of the gallium nitride layer (14); a plurality of second conductivity type regions (15), each second conductivity type region (15) extending downwards into a groove from the top part of the gallium nitride layer (14), and the top parts of the gallium nitride bump structures (12) being higher than the bottom parts of the second conductivity type regions (15); and an anode (30), which is disposed on the gallium nitride layer (14) and the second conductivity type regions (15).
(FR)
L'invention concerne un dispositif d'alimentation de nitrure de gallium, comprenant : un substrat de nitrure de gallium (10) ; des cathodes (20) ; une pluralité de structures de bosse de nitrure de gallium (12) qui sont disposées sur le substrat de nitrure de gallium (10) et entre les cathodes (20), des rainures étant formées entre des structures de bosse de nitrure de gallium adjacentes (12) ; une couche de mobilité d'électrons, qui recouvre les parties supérieures et les surfaces latérales des structures de bosse de nitrure de gallium (12) ; une couche de nitrure de gallium (14), qui est disposée sur la couche de mobilité d'électrons et remplit les rainures, la couche de mobilité d'électrons étant utilisée pour former une région de canal conducteur à la position agencée, et la mobilité d'électrons de la région de canal conducteur étant supérieure à la mobilité d'électrons de la couche de nitrure de gallium (14) ; une pluralité de régions de second type de conductivité (15), chaque région de second type de conductivité (15) s'étendant vers le bas dans une rainure à partir de la partie supérieure de la couche de nitrure de gallium (14), et les parties supérieures des structures de bosse de nitrure de gallium (12) étant supérieure aux parties inférieures des régions de second type de conductivité (15) ; et une anode (30), qui est disposée sur la couche de nitrure de gallium (14) et les régions de second type de conductivité (15).
(ZH)
一种氮化镓功率器件,包括:氮化镓基底(10);阴极(20);多个氮化镓凸起结构(12),设于所述氮化镓基底(10)上、阴极(20)之间,相邻的氮化镓凸起结构(12)之间形成凹槽;电子迁移层,覆盖各所述氮化镓凸起结构(12)的顶部和侧面;氮化镓层(14),设于所述电子迁移层上并填充各所述凹槽;所述电子迁移层用于在被设置的位置形成导电沟道区,所述导电沟道区的电子迁移率高于所述氮化镓层(14)的电子迁移率;多个第二导电类型区(15),每个第二导电类型区(15)从所述氮化镓层(14)的顶部向下伸入一所述凹槽,各所述氮化镓凸起结构(12)的顶部均高于各所述第二导电类型区(15)的底部;阳极(30),设于所述氮化镓层(14)和各所述第二导电类型区(15)上。
Également publié en tant que
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