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1. WO2021056962 - CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE À COUCHES MINCES AYANT UN RENDEMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ÉLEVÉ ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION

Numéro de publication WO/2021/056962
Date de publication 01.04.2021
N° de la demande internationale PCT/CN2020/077010
Date du dépôt international 27.02.2020
CIB
H01L 31/0224 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
0224Electrodes
H01L 31/0445 2014.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
042Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles
0445comportant des cellules solaires en couches minces, p.ex. cellules solaires en a-Si, CIS ou CdTe
H01L 31/0468 2014.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
042Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles
0445comportant des cellules solaires en couches minces, p.ex. cellules solaires en a-Si, CIS ou CdTe
046Modules PV composés d'une pluralité de cellules solaires en couches minces déposées sur un même substrat
0468comportant des moyens spécifiques pour obtenir une transmission partielle de la lumière à travers le module, p.ex. modules solaires en couches minces partiellement transparentes pour fenêtres
H01L 31/18 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 31/022425
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022408for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
022425for solar cells
H01L 31/022441
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022408for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
022425for solar cells
022441Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
H01L 31/022466
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022466made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
H01L 31/0445
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
042PV modules or arrays of single PV cells
0445including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
H01L 31/0468
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
042PV modules or arrays of single PV cells
0445including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
046PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
0468comprising specific means for obtaining partial light transmission through the module, e.g. partially transparent thin film solar modules for windows
H01L 31/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Déposants
  • 信利半导体有限公司 TRULY SEMICONDUCTORS LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 眭斌 SUI, Bin
  • 张为苍 ZHANG, Weicang
  • 谢雄才 XIE, Xiongcai
  • 张文进 ZHANG, Wenjin
  • 杨亮 YANG, Liang
Mandataires
  • 广州粤高专利商标代理有限公司 YOGO PATENT & TRADE MARK AGENCY LIMITED COMPANY
Données relatives à la priorité
201910931288.729.09.2019CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) THIN-FILM PHOTOVOLTAIC CELL HAVING HIGH PHOTOELECTRIC CONVERSION RATE AND PREPARATION PROCESS THEREFOR
(FR) CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE À COUCHES MINCES AYANT UN RENDEMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ÉLEVÉ ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 一种光电转换率高的薄膜光伏电池及其制备工艺
Abrégé
(EN)
A thin-film photovoltaic cell having a high photoelectric conversion rate and a preparation process therefor. The thin-film photovoltaic cell comprises a transparent substrate (10) and photovoltaic units provided on the transparent substrate (10) in a mode of facing towards a display module; the photovoltaic unit provided in a display area comprises a transparent front electrode (20) provided on the transparent substrate (10), a light absorption layer (30) provided on the transparent front electrode (20), and a transparent back electrode (40) provided on the light absorption layer (30); the photovoltaic unit provided in a non-display area comprises a transparent front electrode (20) provided on the transparent substrate (10), a light absorption layer (30) provided on the transparent front electrode (20), and a metal back electrode provided on the light absorption layer (30). By configuring the front electrode and the back electrode corresponding to the display area of the display module to be transparent, various light sources can be bidirectionally absorbed on the side facing the display module and the side facing away from the display module at the same time, and the conversion efficiency of a thin-film photovoltaic cell is improved especially under low-light conditions.
(FR)
L'invention porte sur une cellule photovoltaïque à couches minces ayant un rendement de conversion photoélectrique élevé, et sur son procédé de préparation. La cellule photovoltaïque à couches minces comprend un substrat transparent (10) et des unités photovoltaïques disposées sur le substrat transparent (10) dans une orientation face à un module d'affichage ; l'unité photovoltaïque disposée dans une zone d'affichage comprend une électrode avant transparente (20) disposée sur le substrat transparent (10), une couche d'absorption de lumière (30) disposée sur l'électrode avant transparente (20), et une électrode arrière transparente (40) disposée sur la couche d'absorption de lumière (30) ; l'unité photovoltaïque disposée dans une zone de non-affichage comprend une électrode avant transparente (20) disposée sur le substrat transparent (10), une couche d'absorption de lumière (30) disposée sur l'électrode avant transparente (20), et une électrode arrière métallique disposée sur la couche d'absorption de lumière (30). Par configuration de l'électrode avant et de l'électrode arrière correspondant à la zone d'affichage du module d'affichage pour être transparentes, diverses sources de lumière peuvent être absorbées de manière bidirectionnelle sur le côté faisant face au module d'affichage et le côté opposé au module d'affichage en même temps, et le rendement de conversion d'une cellule photovoltaïque à couches minces est amélioré en particulier dans des conditions de faible luminosité.
(ZH)
一种光电转换率高的薄膜光伏电池及其制备工艺,其中薄膜光伏电池包括透明基板(10)和设于所述透明基板(10)上且朝向显示模组布置的光伏单元,设置在显示区的光伏单元包括设于所述透明基板(10)上的透明前电极(20)、设于所述透明前电极(20)上的光吸收层(30)以及设于所述光吸收层(30)上的透明背电极(40);设置在非显示区的光伏单元包括设于所述透明基板(10)上的透明前电极(20)、设于所述透明前电极(20)上的光吸收层(30)以及设于所述光吸收层(30)上的金属背电极。通过将对应显示模组的显示区的前电极和背电极均设置为透明的,可以在朝向显示模组的一侧和背向显示模组的一侧同时进行双向吸收各种光源,特别是在弱光条件下,提高薄膜光伏电池的转换效率。
Également publié en tant que
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