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1. WO2021056749 - DISPOSITIF SYNAPTIQUE NEURONAL ARTIFICIEL ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION

Numéro de publication WO/2021/056749
Date de publication 01.04.2021
N° de la demande internationale PCT/CN2019/118115
Date du dépôt international 13.11.2019
CIB
H01L 45/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 45/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
H01L 45/16
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
16Manufacturing
Déposants
  • 中国科学院微电子研究所 INSTITUTE OF MICROELECTRONICS OF THE CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 刘琦 LIU, Qi
  • 吴祖恒 WU, Zuheng
  • 时拓 SHI, Tuo
  • 刘明 LIU, Ming
  • 吕杭炳 LV, Hangbing
  • 张续猛 ZHANG, Xumeng
Mandataires
  • 北京华沛德权律师事务所 BEIJING BRIGHT & RIGHT LAW FIRM
Données relatives à la priorité
201910918027.126.09.2019CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) ARTIFICIAL NERVE SYNAPTIC DEVICE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF SYNAPTIQUE NEURONAL ARTIFICIEL ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 人工神经突触器件及其制备方法
Abrégé
(EN)
An artificial nerve synaptic device and a preparation method therefor. The artificial nerve synaptic device comprises a first electrode layer (11), a second electrode layer (13), and a functional layer (12) provided between the first electrode layer (11) and the second electrode layer (13). The material of the functional layer (12) enables the artificial nerve synaptic device to have both the unidirectional resistance change characteristics and the bidirectional resistance change characteristics. According to the artificial nerve synaptic device and the preparation method therefor, related characteristics of associative learning and non-associative learning can be achieved simultaneously. Moreover, when achieving the related characteristics of non-associative learning, there is no need to match a three-terminal transistor and provide a complicated excitation condition.
(FR)
L'invention concerne un dispositif synaptique neuronal artificiel et son procédé de préparation. Le dispositif synaptique neuronal artificiel comprend une première couche d'électrode (11), une seconde couche d'électrode (13), et une couche fonctionnelle (12) disposée entre la première couche d'électrode (11) et la seconde couche d'électrode (13). Le matériau de la couche fonctionnelle (12) permet au dispositif synaptique neuronal artificiel d'avoir à la fois les caractéristiques de changement de résistance unidirectionnelle et les caractéristiques de changement de résistance bidirectionnelle. Selon le dispositif synaptique neuronal artificiel et son procédé de préparation, des caractéristiques associées d'apprentissage associatif et d'apprentissage non associatif peuvent être obtenues simultanément. De plus, lors de la réalisation des caractéristiques associées d'apprentissage non associatif, il n'est pas nécessaire de faire correspondre un transistor à trois bornes et de fournir une condition d'excitation compliquée.
(ZH)
人工神经突触器件及其制备方法,所述人工神经突触器件包括第一电极层(11)、第二电极层(13)以及设置在所述第一电极层(11)和所述第二电极层(13)之间的功能层(12),其中,所述功能层(12)的材料使得所述人工神经突触器件同时具备单向阻变特性和双向阻变特性。所述人工神经突触器件及其制备方法,能够同时实现联想学习和非联想学习的相关特性,并且,在实现非联想学习的相关特性时,不需要配合三端晶体管,也不需要提供复杂的激励条件。
Également publié en tant que
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