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1. WO2021045070 - DISPOSITIF DE VERROUILLAGE DE CHARGE

Numéro de publication WO/2021/045070
Date de publication 11.03.2021
N° de la demande internationale PCT/JP2020/033161
Date du dépôt international 02.09.2020
CIB
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/3065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H01L 21/683 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
CPC
H01L 21/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
H01L 21/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
H01L 21/677
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
677for conveying, e.g. between different workstations
H01L 21/683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
Déposants
  • キヤノンアネルバ株式会社 CANON ANELVA CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 三浦 順 MIURA, Jun
  • 福田 直哉 FUKUDA, Naoya
  • 高城 信二 TAKAGI, Shinji
  • 下川 英利 SHIMOKAWA, Hidetoshi
Mandataires
  • 大塚 康徳 OHTSUKA, Yasunori
  • 大塚 康弘 OHTSUKA, Yasuhiro
  • 高柳 司郎 TAKAYANAGI, Jiro
  • 木村 秀二 KIMURA, Shuji
  • 下山 治 SIMOYAMA, Osamu
  • 永川 行光 EIKAWA, Yukimitsu
Données relatives à la priorité
PCT/JP2019/03524806.09.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) LOAD LOCK DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE VERROUILLAGE DE CHARGE
(JA) ロードロック装置
Abrégé
(EN)
This load lock device is provided with a load lock chamber and a substrate holding structure for holding a substrate in the load lock chamber. The substrate holding structure has an opposing surface opposing the substrate, and is configured to allow a gas to flow in a space between the substrate and the opposing surface. In a state in which the substrate is being held by the substrate holding structure, the distance between a portion positioned on the inner side of an outer edge of the opposing surface and the substrate is greater than the distance between the outer edge of the opposing surface and the substrate.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de verrouillage de charge comportant une chambre de verrouillage de charge et une structure de maintien de substrat pour maintenir un substrat dans la chambre de verrouillage de charge. La structure de support de substrat a une surface opposée, opposée au substrat, et est configurée pour permettre à un gaz de s'écouler dans un espace entre le substrat et la surface opposée. Dans un état dans lequel le substrat est maintenu par la structure de maintien de substrat, la distance entre une partie positionnée sur le côté interne d'un bord externe de la surface opposée et le substrat étant supérieure à la distance entre le bord externe de la surface opposée et le substrat.
(JA)
ロードロック装置は、ロードロック室と、前記ロードロック室の中で基板を保持する基板保持構造とを備える。前記基板保持構造は、前記基板に対向する対向面を有し、前記基板と前記対向面との間の空間をガスが流れることができるように構成される。前記基板保持構造によって前記基板が保持された状態において、前記対向面の外縁よりも内側に位置する部分と前記基板との距離は、前記対向面の前記外縁と前記基板との距離より大きい。
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