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1. WO2021042834 - PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D’ENSEMBLE ÉLECTRODE

Numéro de publication WO/2021/042834
Date de publication 11.03.2021
N° de la demande internationale PCT/CN2020/098496
Date du dépôt international 28.06.2020
CIB
H01L 43/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08Résistances commandées par un champ magnétique
H01L 27/22 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
22comprenant des composants utilisant les effets galvanomagnétiques, p.ex. effet Hall; utilisant des effets de champ magnétique analogues
CPC
H01L 21/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
H01L 27/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
22including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effects; using similar magnetic field effects
H01L 43/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
02Details
H01L 43/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
08Magnetic-field-controlled resistors
H01L 43/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
12Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Déposants
  • 浙江驰拓科技有限公司 ZHEJIANG HIKSTOR TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 孙一慧 SUN, Yihui
  • 孟凡涛 MENG, Fantao
Mandataires
  • 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 BEIJING LTXT INTELLECTUAL PROPERTY LAW LLC
Données relatives à la priorité
201910830009.803.09.2019CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) ELECTRODE ASSEMBLY PREPARATION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D’ENSEMBLE ÉLECTRODE
(ZH) 电极组件制备方法
Abrégé
(EN)
The present invention provides an electrode assembly preparation method, comprising: providing a substrate having a through hole, a diffusion blocking layer being provided on the sidewall of the through hole; filling the through hole with a conductive material, and performing control to make the upper surface of the conductive material lower than the upper surface of the substrate; and depositing a bottom electrode material on the substrate and the conductive material to form a bottom electrode. According to the electrode assembly preparation method of the present invention, a closed space can be formed by the diffusion blocking layer and the bottom electrode, and the conductive material can be enclosed therein to avoid diffusion of the conductive material to the substrate.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de préparation d'ensemble électrode, consistant à : prendre un substrat comportant un trou traversant, une couche de blocage de diffusion étant disposée sur la paroi latérale du trou traversant ; remplir le trou traversant avec un matériau conducteur, et effectuer une commande pour rendre la surface supérieure du matériau conducteur plus basse que la surface supérieure du substrat ; et déposer un matériau d'électrode inférieure sur le substrat et le matériau conducteur pour former une électrode inférieure. Selon le procédé de préparation d'ensemble électrode de la présente invention, un espace fermé peut être formé par la couche de blocage de diffusion et l'électrode inférieure, et le matériau conducteur peut être enfermé dans celui-ci pour éviter la diffusion du matériau conducteur vers le substrat.
(ZH)
本发明提供一种电极组件制备方法,包括:提供一具有通孔的衬底,所述通孔的侧壁上具有扩散阻挡层;在所述通孔内填充导电材料,控制所述导电材料上表面低于所述衬底的上表面;在所述衬底和所述导电材料上沉积底电极材料,以形成底电极。本发明的电极组件制备方法能够使扩散阻挡层和底电极形成一个封闭的空间,并将导电材料封闭在内,避免导电材料向衬底扩散。
Également publié en tant que
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