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1. WO2021040799 - CAPTEUR DE CHAMP MAGNÉTIQUE TMR À HAUTE SENSIBILITÉ

Numéro de publication WO/2021/040799
Date de publication 04.03.2021
N° de la demande internationale PCT/US2020/024076
Date du dépôt international 21.03.2020
CIB
G01R 33/09 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
02Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
06en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques
09des dispositifs magnéto-résistifs
G01R 33/00 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
CPC
G01R 33/0005
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
0005Geometrical arrangement of magnetic sensor elements; Apparatus combining different magnetic sensor types
G01R 33/0052
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
0052Manufacturing aspects; Manufacturing of single devices, i.e. of semiconductor magnetic sensor chips
G01R 33/093
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
09Magnetoresistive devices
093using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
G01R 33/098
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
09Magnetoresistive devices
098comprising tunnel junctions, e.g. tunnel magnetoresistance sensors
H01F 10/3254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
32Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
324Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
3254the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
H01F 10/3272
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
32Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
324Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
3268the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
3272by use of anti-parallel coupled [APC] ferromagnetic layers, e.g. artificial ferrimagnets [AFI], artificial [AAF] or synthetic [SAF] anti-ferromagnets
Déposants
  • WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • HU, Chih-Ching
  • WANG, Yung-Hung
  • MAO, Ming
  • MAURI, Daniele
  • JIANG, Ming
Mandataires
  • VERSTEEG, Steven H.
  • DETJEN, Puja S.
Données relatives à la priorité
16/718,35118.12.2019US
62/892,40527.08.2019US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) HIGH SENSITIVITY TMR MAGNETIC SENSOR
(FR) CAPTEUR DE CHAMP MAGNÉTIQUE TMR À HAUTE SENSIBILITÉ
Abrégé
(EN)
A tunneling magnetoresistance (TMR) sensor device is disclosed that includes one or more TMR resistors. The TMR sensor device comprises a first TMR resistor comprising a first TMR film, a second TMR resistor comprising a second TMR film different than the first TMR film, a third TMR resistor comprising the second TMR film, and a fourth TMR resistor comprising the first TMR film. The first and fourth TMR resistors are disposed in a first plane while the second and third TMR resistors are disposed in a second plane different than the first plane. The first TMR film comprises a synthetic anti-ferromagnetic pinned layer having a magnetization direction of a reference layer orthogonal to a magnetization direction a free layer. The second TMR film comprises a double synthetic anti-ferromagnetic pinned layer having a magnetization direction of a reference layer orthogonal to a magnetization direction of a free layer.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de capteur à magnétorésistance à effet tunnel (TMR) qui comprend une ou plusieurs résistances TMR. Le dispositif de capteur TMR comprend une première résistance TMR comprenant un premier film TMR, une deuxième résistance TMR comprenant un deuxième film TMR différent du premier film TMR, une troisième résistance TMR comprenant le deuxième film TMR et une quatrième résistance TMR comprenant le premier film TMR. Les première et quatrième résistances TMR sont disposées dans un premier plan, tandis que les deuxième et troisième résistances TMR sont disposées dans un deuxième plan différent du premier plan. Le premier film TMR comprend une couche piégée anti-ferromagnétique synthétique ayant une direction de magnétisation d'une couche de référence orthogonale à une direction de magnétisation d'une couche libre. Le deuxième film TMR comprend une double couche piégée anti-ferromagnétique synthétique ayant une direction de magnétisation d'une couche de référence orthogonale à une direction de magnétisation d'une couche libre.
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