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1. WO2021039493 - SYSTÈME D’ALIMENTATION EN GAZ DE MATIÈRE PREMIÈRE ET PROCÉDÉ D’ALIMENTATION EN GAZ DE MATIÈRE PREMIÈRE

Numéro de publication WO/2021/039493
Date de publication 04.03.2021
N° de la demande internationale PCT/JP2020/031087
Date du dépôt international 18.08.2020
CIB
C23C 16/448 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
448caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p.ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
H01L 21/285 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
285à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
CPC
C23C 16/448
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
448characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
H01L 21/285
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
285from a gas or vapour, e.g. condensation
Déposants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 岡部 庸之 OKABE, Tsuneyuki
  • 大倉 成幸 OKURA, Shigeyuki
  • 小森 栄一 KOMORI, Eiichi
Mandataires
  • 金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo
  • 萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi
  • 扇田 尚紀 OGITA, Naoki
  • 三根 卓也 MINE, Takuya
Données relatives à la priorité
2019-15455327.08.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) RAW MATERIAL GAS SUPPLY SYSTEM AND RAW MATERIAL GAS SUPPLY METHOD
(FR) SYSTÈME D’ALIMENTATION EN GAZ DE MATIÈRE PREMIÈRE ET PROCÉDÉ D’ALIMENTATION EN GAZ DE MATIÈRE PREMIÈRE
(JA) 原料ガス供給システム及び原料ガス供給方法
Abrégé
(EN)
A raw material gas supply system that supplies a raw material gas generated by vaporizing a solid raw material to a processing device comprises: a vaporizing device that vaporizes the solid raw material to generate the raw material gas; a delivery mechanism that delivers a solution in which the solid raw material is dissolved in a solvent from a solution source that stores the solution to the vaporizing device; and an evaporation mechanism that evaporates the solvent of the solution delivered from the delivery mechanism and accommodated in the vaporizing device to separate the solid raw material.
(FR)
La présente invention concerne un système d’alimentation en gaz de matière première qui alimente un gaz de matière première généré par vaporisation d’une matière première solide vers un dispositif de traitement qui comprend : un dispositif de vaporisation qui vaporise la matière première solide pour générer le gaz de matière première ; un mécanisme de distribution qui distribue une solution dans laquelle la matière première solide est dissoute dans un solvant à partir d’une source de solution qui stocke la solution vers le dispositif de vaporisation ; et un mécanisme d’évaporation qui évapore le solvant de la solution distribuée depuis le mécanisme de distribution et reçu dans le dispositif de vaporisation pour séparer la matière première solide.
(JA)
固体原料を気化して生成された原料ガスを処理装置に供給する原料ガス供給システムであって、前記固体原料を気化して前記原料ガスを生成する気化装置と、前記固体原料が溶媒中に溶解した溶液を貯留する溶液源から前記気化装置へ前記溶液を送出する送出機構と、前記送出機構から送出され前記気化装置内に収容された前記溶液の溶媒を蒸発させ前記固体原料を分離する蒸発機構と、を備える。
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