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1. WO2021038390 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT

Numéro de publication WO/2021/038390
Date de publication 04.03.2021
N° de la demande internationale PCT/IB2020/057814
Date du dépôt international 20.08.2020
CIB
H03F 1/26 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
1Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
26Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence du bruit provoqué par les éléments amplificateurs
H03F 3/34 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
34Amplificateurs de courant continu dans lesquels tous les étages sont couplés en courant continu
H03F 3/38 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
38Amplificateurs de courant continu, comportant un modulateur à l'entrée et un démodulateur à la sortie; Modulateurs ou démodulateurs spécialement conçus pour être utilisés dans de tels amplificateurs
H03F 3/45 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
45Amplificateurs différentiels
H03F 3/70 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
70Amplificateurs de charge
CPC
H03F 1/26
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
26Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
H03F 3/34
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
34Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled
H03F 3/38
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
38Dc amplifiers with modulator at input and demodulator at output; Modulators or demodulators specially adapted for use in such amplifiers
H03F 3/45
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
45Differential amplifiers
H03F 3/70
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
70Charge amplifiers
Déposants
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 高橋圭 TAKAHASHI, Kei
  • 池田隆之 IKEDA, Takayuki
Données relatives à la priorité
2019-15654629.08.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR OPERATING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT
(JA) 半導体装置、及びその動作方法
Abrégé
(EN)
The present invention provides a semiconductor device that has an amplifier and that improves the accuracy of the amplifier. This semiconductor device has switches, capacitors, chopping circuits, and the amplifier. The amplifier has a non-inverted input terminal, an inverted input terminal, an inverted output terminal, and a non-inverted output terminal, and the semiconductor device has a function for using the switches and the capacitors to sample and hold a first potential and a second potential inputted during a first period. The chopping circuits are respectively provided at the input terminal side and the output terminal side of the amplifier, and the first potential and the second potential are inputted to either the non-inverted input terminal or the inverted input terminal during a second period. The first potential and the second potential are respectively inputted, during a third period, to the input terminals different from the input terminals of the second period among the non-inverted input terminal and the inverted input terminal. The first potential and the second potential are also swapped by the chopping circuit in the second period and the third period in the same way to the inverted output terminal and the non-inverted output terminal, and outputted from the semiconductor device.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui a un amplificateur et qui améliore la précision de l'amplificateur. Ce dispositif à semi-conducteur comprend des commutateurs, des condensateurs, des circuits de hachage et l'amplificateur. L'amplificateur a une borne d'entrée non inversée, une borne d'entrée inversée, une borne de sortie inversée, et une borne de sortie non inversée, et le dispositif à semi-conducteur a une fonction pour utiliser les commutateurs et les condensateurs pour échantillonner et maintenir un premier potentiel et un deuxième potentiel entrés pendant une première période. Les circuits de hachage sont respectivement disposés au niveau du côté borne d'entrée et du côté borne de sortie de l'amplificateur, et le premier potentiel et le deuxième potentiel sont entrés soit dans la borne d'entrée non inversée, soit dans la borne d'entrée inversée pendant une deuxième période. Le premier potentiel et le deuxième potentiel sont respectivement entrés, pendant une troisième période, dans les bornes d'entrée différentes à partir des bornes d'entrée de la deuxième période parmi la borne d'entrée non inversée et la borne d'entrée inversée. Le premier potentiel et le deuxième potentiel sont également échangés par le circuit de hachage dans la deuxième période et la troisième période de la même manière avec la borne de sortie inversée et à la borne de sortie non inversée, et émis à partir du dispositif à semi-conducteur.
(JA)
アンプを有し、その精度を向上させた半導体装置を提供する。 半導体装置は、スイッチ、容量、チョッピング回路、及びアンプを有する。アンプは、非反転入力端子、反転入力端子、反転出力端子、及び非反転出力端子を有し、半導体装置は、スイッチと容量を用いて、第一の期間に入力された第一の電位及び第二の電位をサンプリング、及び保持する機能を有する。チョッピング回路は、アンプの入力端子側と出力端子側のそれぞれに設けられ、第一の電位及び第二の電位は、第二の期間において、それぞれ非反転入力端子及び反転入力端子のどちらかに入力される。第三の期間において、第一の電位及び第二の電位は、非反転入力端子及び反転入力端子のうち第二の期間とは異なる入力端子に入力される。反転出力端子と非反転出力端子に対しても同様に、第二の期間と第三の期間においてチョッピング回路による入れ替えが行われ、半導体装置から出力される。
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