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1. WO2021036590 - STRUCTURE DE MODULATION SEGMENTÉE, ET LASER ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2021/036590
Date de publication 04.03.2021
N° de la demande internationale PCT/CN2020/103337
Date du dépôt international 21.07.2020
CIB
H01S 5/042 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
04Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage
042Excitation électrique
H01S 5/0625 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
06Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif
062en faisant varier le potentiel des électrodes
0625dans des lasers à plusieurs sections
CPC
H01S 5/0425
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, ; e.g. by electron beams
042Electrical excitation ; ; Circuits therefor
0425Electrodes, e.g. characterised by the structure
H01S 5/0614
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
0607by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
0614controlled by electric field, i.e. whereby an additional electric field is used to tune the bandgap, e.g. using the Stark-effect
H01S 5/34
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
34comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well lasers [SQW-lasers], multiple quantum well lasers [MQW-lasers] or graded index separate confinement heterostructure lasers [GRINSCH-lasers]
Déposants
  • 厦门市三安集成电路有限公司 XIAMEN SAN'AN INTEGRATED CIRCUIT CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 孙维忠 SUN, Weizhong
  • 蔡文必 CAI, Wenbi
  • 柯程 KE, Cheng
Données relatives à la priorité
201910806579.329.08.2019CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) SEGMENTED MODULATION STRUCTURE, AND LASER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) STRUCTURE DE MODULATION SEGMENTÉE, ET LASER ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 分段式调制结构、激光器及其制作方法
Abrégé
(EN)
A segmented modulation structure, and a laser and a manufacturing method therefor. The segmented modulation structure comprises an epitaxial substrate (13) and a segmented P-surface electrode (11) manufactured on the epitaxial substrate (13), wherein the segmented P-surface electrode (11) comprises a first electrode (111) and a second electrode (112) which are arranged at an interval; an area between the first electrode (111) and the epitaxial substrate (13) is a direct current modulation area, and the first electrode (111) is used for accessing a constant direct current; and an area between the second electrode (112) and the epitaxial substrate (13) is an alternating current modulation area, and the second electrode (112) is used for accessing a signal alternating current modulation current. The volume of an alternating current modulation cavity can be reduced, the modulation bandwidth is improved, and high-speed modulation is implemented so as to be suitable for high-speed transmission. A difference between a 0 signal current and a 1 signal current of the modulation area is reduced, and the chirp of optical frequency can be reduced, so that the chromatic dispersion of an optical signal in an optical fiber transmission process is smaller, the requirement of long-distance communication can be met, the process is simple, and the manufacturing yield is high.
(FR)
L'invention concerne une structure de modulation segmentée, et un laser et son procédé de fabrication. La structure de modulation segmentée comprend un substrat épitaxial (13) et une électrode de surface P segmentée (11) fabriquée sur le substrat épitaxial (13), l'électrode de surface P segmentée (11) comprend une première électrode (111) et une seconde électrode (112) qui sont disposées à un intervalle ; une zone entre la première électrode (111) et le substrat épitaxial (13) est une zone de modulation de courant continu, et la première électrode (111) est utilisée pour accéder à un courant continu constant ; et une zone entre la seconde électrode (112) et le substrat épitaxial (13) est une zone de modulation de courant alternatif, et la seconde électrode (112) est utilisée pour accéder à un courant de modulation de courant alternatif de signal. Le volume d'une cavité de modulation de courant alternatif peut être réduit, la largeur de bande de modulation est améliorée, et une modulation à grande vitesse est mise en œuvre de façon à être appropriée pour une transmission à haut débit. Une différence entre un courant de signal 0 et un courant de signal 1 de la zone de modulation est réduite, et la fluctuation de fréquence optique peut être réduite, de sorte que la dispersion chromatique d'un signal optique dans un procédé de transmission de fibre optique soit plus petite, l'exigence de communication à longue distance peut être satisfaite, le procédé est simple, et le rendement de fabrication est élevé.
(ZH)
一种分段式调制结构、激光器及其制作方法,分段式调制结构包括外延基板(13)和在外延基板(13)上制作的分段式P面电极(11),其中,分段式P面电极(11)包括间隔设置的第一电极(111)和第二电极(112),第一电极(111)与外延基板(13)之间的区域为直流调制区,第一电极(111)用于接入恒定直流电,第二电极(112)与外延基板(13)之间的区域为交流调制区,第二电极(112)用于接入信号交流调制电流。能够减小交流调制腔的体积,提高调制带宽,实现高速率的调制,以适用于高速率传输。调制区的0信号电流和1信号电流差值减小,能够减小光频率啁啾,使得光信号在光纤传输过程中色散相对较小,可以适用于长距离通信的要求,而且工艺制程简单,制造的良率高。
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