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1. WO2021031135 - CRISTAUX CAPABLES DE DÉTECTER SIMULTANÉMENT DES NEUTRONS ET DES RAYONS γ/X ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE CEUX-CI

Numéro de publication WO/2021/031135
Date de publication 25.02.2021
N° de la demande internationale PCT/CN2019/101680
Date du dépôt international 21.08.2019
CIB
C30B 29/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
CPC
C07F 5/003
CCHEMISTRY; METALLURGY
07ORGANIC CHEMISTRY
FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
5Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic System
003without C-Metal linkages
C09K 11/77742
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
11Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
08containing inorganic luminescent materials
77containing rare earth metals
7766containing two or more rare earth metals
77742Silicates
C30B 15/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
C30B 15/002
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
002Continuous growth
C30B 29/22
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
16Oxides
22Complex oxides
G01T 1/2023
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
1Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
16Measuring radiation intensity
20with scintillation detectors
202the detector being a crystal
2023Selection of materials
Déposants
  • 眉山博雅新材料有限公司 MEISHAN BOYA ADVANCED MATERIALS CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 王宇 WANG, Yu
  • 官伟明 GUAN, Weiming
  • 李敏 LI, Min
Mandataires
  • 成都七星天知识产权代理有限公司 METIS IP (CHENGDU) LLC
Données relatives à la priorité
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) CRYSTALS CAPABLE OF SIMULTANEOUSLY DETECTING NEUTRONS AND Y/X-RAYS AND PREPARATION METHOD THEREOF
(FR) CRISTAUX CAPABLES DE DÉTECTER SIMULTANÉMENT DES NEUTRONS ET DES RAYONS γ/X ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE CEUX-CI
(ZH) 同时具备中子和γ/X射线探测的晶体及其制备方法
Abrégé
(EN)
Provided are crystals capable of simultaneously detecting neutrons and γ/X-rays and a preparation method thereof, wherein the method comprises: according to a reaction equation (1) or (2), reaction materials in the formula after a first pretreatment are weighed by a molar ratio of X2O3+yY2O3+SiO2+ 2xCeO2+zZ2O3: wherein, x=0.0001%-6%, y=0.001%-100%, Z represents one or more elements of Li, B and Gd, Z = 0.0001 -6%, and X represents one or more elements of Lu, La, Y, Gd, Pr, Ce, Nd, Pm, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Mn, Mg, Ca, Al, Fe, Sr and Ba. SiO2 exceeds 0.01%-10% of its own weight; after at least one component of a crystal growth device is subjected to a pre-assembly treatment, the reaction materials after a second pretreatment are placed in the crystal growth device; after the crystal growth device is closed, flowing gas is introduced into the inside; the crystal growth device is started to grow crystals on the basis of an upward pulling method.
(FR)
La présente invention concerne des cristaux capables de détecter simultanément des neutrons et des rayons γ/X et un procédé de préparation de ceux-ci, le procédé comprenant les étapes suivantes : selon une équation de réaction (1) ou (2), des matériaux de réaction dans la formule après un premier prétraitement sont pesés par un rapport molaire de X2O3 + yY2O3 + SiO2 + 2xCeO2 + zZ2O3 : dans lequel, x = 0,0001 % à 6 %, y = 0,001 % à 100 %, Z représente un ou plusieurs éléments de Li, B et Gd, Z = 0,0001 à 6 %, et x représente un ou plusieurs éléments de Lu, La, Y, Gd, Pr, Ce, Nd, Pm, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Mn, Mg, Ca, Al, Fe, Sr et Ba. SiO2 dépasse 0,01 % à 10 % de son propre poids ; une fois qu’au moins un composant d’un dispositif de croissance de cristaux est soumis à un traitement de préassemblage, les matériaux de réaction après un deuxième prétraitement sont placés dans le dispositif de croissance de cristaux ; une fois que le dispositif de croissance de cristaux est fermé, un écoulement de gaz est introduit à l’intérieur ; le dispositif de croissance de cristaux est démarré pour faire croître des cristaux sur la base d’un procédé de tirage vers le haut.
(ZH)
一种可同时探测中子和γ/X射线的晶体及其制备方法,方法包括:根据反应方程式(1)或(2),对式中各反应物料进行第一预处理后按摩尔比对反应物料X2O3+yY2O3+SiO2+ 2xCeO2+zZ2O3进行称重:其中,x=0.0001%-6%,y=0.001%-100%,Z代表Li、B、Gd中的一种或多种元素,z=0.0001~6%,X代表Lu、La、Y、Gd、Pr、Ce、Nd、Pm、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Mn、Mg、Ca、Al、Fe、Sr、Ba中的一种或多种元素。SiO2超过自身重量的0.01%-10%;对晶体生长装置的至少一个部件进行装配前处理后,将执行过第二预处理的反应物料置于所述晶体生长装置内;晶体生长装置密闭后内部通入流动气体;启动所述晶体生长装置,基于上提拉法生长晶体。
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