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1. WO2021021736 - SYSTÈMES, DISPOSITIFS ET STRUCTURES DE RÉSONATEUR ET RÉFLECTEUR À ONDES ACOUSTIQUES DE VOLUME (BAW)

Numéro de publication WO/2021/021736
Date de publication 04.02.2021
N° de la demande internationale PCT/US2020/043740
Date du dépôt international 27.07.2020
CIB
H03H 9/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
02Détails
H03H 3/013 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
3Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs
007pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques
013pour obtenir une fréquence ou un coefficient de température désiré
CPC
H03H 2009/02165
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02165Tuning
H03H 9/02015
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02007of bulk acoustic wave devices
02015Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
H03H 9/0207
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02007of bulk acoustic wave devices
02062Details relating to the vibration mode
0207the vibration mode being harmonic
H03H 9/02102
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02007of bulk acoustic wave devices
02086Means for compensation or elimination of undesirable effects
02102of temperature influence
H03H 9/0211
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02007of bulk acoustic wave devices
02086Means for compensation or elimination of undesirable effects
0211of reflections
H03H 9/02157
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02007of bulk acoustic wave devices
02157Dimensional parameters, e.g. ratio between two dimension parameters, length, width or thickness
Déposants
  • QXONIX INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • BURAK, Dariusz
  • GRANNEN, Kevin J.
  • LENELL, Jack
Mandataires
  • LENELL, Jack
Données relatives à la priorité
62/881,06131.07.2019US
62/881,07431.07.2019US
62/881,07731.07.2019US
62/881,08531.07.2019US
62/881,08731.07.2019US
62/881,09131.07.2019US
62/881,09431.07.2019US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) BULK ACOUSTIC WAVE (BAW) REFLECTOR AND RESONATOR STRUCTURES, DEVICES AND SYSTEMS
(FR) SYSTÈMES, DISPOSITIFS ET STRUCTURES DE RÉSONATEUR ET RÉFLECTEUR À ONDES ACOUSTIQUES DE VOLUME (BAW)
Abrégé
(EN)
Techniques for improving Bulk Acoustic Wave (BAW) reflector and resonator structures are disclosed, including filters, oscillators and systems that may include such devices. First and second layers of piezoelectric material may be acoustically coupled with one another to have a piezoelectrically excitable resonance mode. The first layer of piezoelectric material may have a first piezoelectric axis orientation, and the second layer of piezoelectric material may have a second piezoelectric axis orientation that substantially opposes the first piezoelectric axis orientation of the first layer of piezoelectric material. A top acoustic reflector electrode may include a first pair of top metal electrode layers electrically and acoustically coupled with the first and second layer of piezoelectric material to excite the piezoelectrically excitable resonance mode at a resonant frequency of the BAW resonator. The resonant frequency of the BAW resonator may be in a super high frequency band or an extremely high frequency band.
(FR)
L'invention concerne des techniques permettant d'améliorer des structures de résonateur et de réflecteur à ondes acoustiques de volume (BAW), comprenant des filtres, des oscillateurs et des systèmes qui peuvent comprendre de tels dispositifs. Des première et seconde couches de matériau piézoélectrique peuvent être couplées acoustiquement l'une à l'autre pour avoir un mode de résonance excitable par voie piézoélectrique. La première couche de matériau piézoélectrique peut avoir une première orientation d'axe piézoélectrique et la seconde couche de matériau piézoélectrique peut avoir une seconde orientation d'axe piézoélectrique qui s'oppose sensiblement à la première orientation d'axe piézoélectrique de la première couche de matériau piézoélectrique. Une électrode de réflecteur acoustique supérieure peut comprendre une première paire de couches d'électrodes métalliques supérieures couplées électriquement et acoustiquement à la première et à la seconde couche de matériau piézoélectrique pour exciter le mode de résonance excitable par voie piézoélectrique à une fréquence de résonance du résonateur à BAW. La fréquence de résonance du résonateur à BAW peut être dans une bande de fréquence super élevée ou une bande de fréquence extrêmement élevée.
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