(EN) Techniques for improving acoustic wave device structures are disclosed, including filters, oscillators and systems that may include such devices. First and second layers of piezoelectric material may be acoustically coupled with one another to have a piezoelectrically excitable resonance mode. The first layer of piezoelectric material may have a first piezoelectric axis orientation, and the second layer of piezoelectric material may have a second piezoelectric axis orientation that substantially opposes the first piezoelectric axis orientation of the first layer of piezoelectric material. The first and second layers of piezoelectric material have respective thicknesses so that the acoustic wave device has a resonant frequency that is in a super high frequency band or an extremely high frequency band.
(FR) L'invention concerne des techniques pour améliorer des structures de dispositif à ondes acoustiques, comprenant des filtres, des oscillateurs et des systèmes qui peuvent comprendre de tels dispositifs. Des première et seconde couches d'un matériau piézoélectrique peuvent être couplées acoustiquement l'une à l'autre pour obtenir un mode de résonance excitable de façon piézoélectrique. La première couche de matériau piézoélectrique peut avoir une première orientation d'axe piézoélectrique, et la seconde couche de matériau piézoélectrique peut avoir une seconde orientation d'axe piézoélectrique qui s'oppose sensiblement à la première orientation d'axe piézoélectrique de la première couche de matériau piézoélectrique. Les première et seconde couches de matériau piézoélectrique ont des épaisseurs respectives de telle sorte que le dispositif à ondes acoustiques ait une fréquence de résonance dans une bande de super haute fréquence ou une bande de fréquence extrêmement haute.