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1. WO2021021723 - STRUCTURES, DISPOSITIFS ET SYSTÈMES DE DISPOSITIF ACOUSTIQUE

Numéro de publication WO/2021/021723
Date de publication 04.02.2021
N° de la demande internationale PCT/US2020/043720
Date du dépôt international 27.07.2020
CIB
H01L 41/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
08Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs
H01L 41/22 2013.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
H01L 41/047 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02Détails
04d'éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
047Electrodes
H01L 41/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02Détails
04d'éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
H01L 41/187 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
16Emploi de matériaux spécifiés
18pour des éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
187Compositions céramiques
CPC
H03H 2009/02165
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02165Tuning
H03H 9/02015
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02007of bulk acoustic wave devices
02015Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
H03H 9/0207
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02007of bulk acoustic wave devices
02062Details relating to the vibration mode
0207the vibration mode being harmonic
H03H 9/02102
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02007of bulk acoustic wave devices
02086Means for compensation or elimination of undesirable effects
02102of temperature influence
H03H 9/0211
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02007of bulk acoustic wave devices
02086Means for compensation or elimination of undesirable effects
0211of reflections
H03H 9/02157
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02007of bulk acoustic wave devices
02157Dimensional parameters, e.g. ratio between two dimension parameters, length, width or thickness
Déposants
  • QXONIX INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • BURAK, Dariusz
  • GRANNEN, Kevin J.
  • LENELL, Jack
Mandataires
  • LENELL, Jack
Données relatives à la priorité
62/881,06131.07.2019US
62/881,07431.07.2019US
62/881,07731.07.2019US
62/881,08531.07.2019US
62/881,08731.07.2019US
62/881,09131.07.2019US
62/881,09431.07.2019US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ACOUSTIC DEVICE STRUCTURES, DEVICES AND SYSTEMS
(FR) STRUCTURES, DISPOSITIFS ET SYSTÈMES DE DISPOSITIF ACOUSTIQUE
Abrégé
(EN)
Techniques for improving acoustic wave device structures are disclosed, including filters, oscillators and systems that may include such devices. First and second layers of piezoelectric material may be acoustically coupled with one another to have a piezoelectrically excitable resonance mode. The first layer of piezoelectric material may have a first piezoelectric axis orientation, and the second layer of piezoelectric material may have a second piezoelectric axis orientation that substantially opposes the first piezoelectric axis orientation of the first layer of piezoelectric material. The first and second layers of piezoelectric material have respective thicknesses so that the acoustic wave device has a resonant frequency that is in a super high frequency band or an extremely high frequency band.
(FR)
L'invention concerne des techniques pour améliorer des structures de dispositif à ondes acoustiques, comprenant des filtres, des oscillateurs et des systèmes qui peuvent comprendre de tels dispositifs. Des première et seconde couches d'un matériau piézoélectrique peuvent être couplées acoustiquement l'une à l'autre pour obtenir un mode de résonance excitable de façon piézoélectrique. La première couche de matériau piézoélectrique peut avoir une première orientation d'axe piézoélectrique, et la seconde couche de matériau piézoélectrique peut avoir une seconde orientation d'axe piézoélectrique qui s'oppose sensiblement à la première orientation d'axe piézoélectrique de la première couche de matériau piézoélectrique. Les première et seconde couches de matériau piézoélectrique ont des épaisseurs respectives de telle sorte que le dispositif à ondes acoustiques ait une fréquence de résonance dans une bande de super haute fréquence ou une bande de fréquence extrêmement haute.
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