(EN) A power semiconductor device (10) is provided, which comprises a disc-shaped first electrode (12a) and a disc-shaped second electrode (12b); a wafer (16) sandwiched between the first electrode (12a) and the second electrode (12b); an outer insulating ring (24) attached to the first electrode (12a) and to the second electrode (12b), the outer insulating ring (24) surrounding the wafer (16); an inner insulating ring (42) inside of the outer insulating ring (24); a ring-shaped first flange portion (50) laterally surrounding a main portion (121a) of the first electrode (12a); and an O-ring (20) radially being sandwiched between the inner insulating ring (42) and the first flange portion (50), wherein the O-ring (20) has in a relaxed state an elongated cross-section shape, such as an oval cross-section being elongated in a direction (Z) perpendicular to the radial direction (R).
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur de puissance (10) qui comprend une première électrode en forme de disque (12a) et une seconde électrode en forme de disque (12b) ; une tranche (16) prise en sandwich entre la première électrode (12a) et la seconde électrode (12b) ; une bague isolante externe (24) fixée à la première électrode (12a) et à la seconde électrode (12b), la bague isolante externe (24) entourant la tranche (16) ; une bague isolante interne (42) à l'intérieur de la bague isolante externe (24) ; une première partie de bride en forme de bague (50) entourant latéralement une partie principale (121a) de la première électrode (12a) ; et un Joint torique (20) étant pris en sandwich radialement entre la bague isolante interne (42) et la première partie de bride (50), le joint torique (20) ayant dans un état relâché une forme de section transversale allongée, telle qu'une section transversale ovale, étant allongée dans une direction (Z) perpendiculaire à la direction radiale (R).