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1. WO2021018957 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE

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Numéro de publication WO/2021/018957
Date de publication 04.02.2021
N° de la demande internationale PCT/EP2020/071387
Date du dépôt international 29.07.2020
CIB
H01L 25/16 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
16les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux H01L27/-H01L51/129
H01L 25/11 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
10les dispositifs ayant des conteneurs séparés
11les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H01L 23/60 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
60Protection contre les charges ou les décharges électrostatiques, p.ex. écrans Faraday
H01L 23/62 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
62Protection contre l'excès de courant ou la surcharge, p.ex. fusibles, shunts
H01L 23/58 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
H01L 23/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
CPC
H01L 23/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
02Containers; Seals
04characterised by the shape ; of the container or parts, e.g. caps, walls
H01L 23/051
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
02Containers; Seals
04characterised by the shape ; of the container or parts, e.g. caps, walls
043the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
051another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
H01L 23/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
02Containers; Seals
10characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
H01L 23/585
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for ; , e.g. in combination with batteries
585comprising conductive layers or plates or strips or rods or rings
H01L 23/60
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for ; , e.g. in combination with batteries
60Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
H01L 23/62
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for ; , e.g. in combination with batteries
62Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
Déposants
  • ABB POWER GRIDS SWITZERLAND AG [CH]/[CH]
Inventeurs
  • PTAKOVA, Zuzana
  • TILSER, Michal
Mandataires
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Données relatives à la priorité
19189286.831.07.2019EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
front page image
Abrégé
(EN)
A power semiconductor device (10) is provided, which comprises a disc-shaped first electrode (12a) and a disc-shaped second electrode (12b); a wafer (16) sandwiched between the first electrode (12a) and the second electrode (12b); an outer insulating ring (24) attached to the first electrode (12a) and to the second electrode (12b), the outer insulating ring (24) surrounding the wafer (16); an inner insulating ring (42) inside of the outer insulating ring (24); a ring-shaped first flange portion (50) laterally surrounding a main portion (121a) of the first electrode (12a); and an O-ring (20) radially being sandwiched between the inner insulating ring (42) and the first flange portion (50), wherein the O-ring (20) has in a relaxed state an elongated cross-section shape, such as an oval cross-section being elongated in a direction (Z) perpendicular to the radial direction (R).
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur de puissance (10) qui comprend une première électrode en forme de disque (12a) et une seconde électrode en forme de disque (12b) ; une tranche (16) prise en sandwich entre la première électrode (12a) et la seconde électrode (12b) ; une bague isolante externe (24) fixée à la première électrode (12a) et à la seconde électrode (12b), la bague isolante externe (24) entourant la tranche (16) ; une bague isolante interne (42) à l'intérieur de la bague isolante externe (24) ; une première partie de bride en forme de bague (50) entourant latéralement une partie principale (121a) de la première électrode (12a) ; et un Joint torique (20) étant pris en sandwich radialement entre la bague isolante interne (42) et la première partie de bride (50), le joint torique (20) ayant dans un état relâché une forme de section transversale allongée, telle qu'une section transversale ovale, étant allongée dans une direction (Z) perpendiculaire à la direction radiale (R).
Également publié en tant que
EP2020744076
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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