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1. WO2021017206 - STRUCTURE D'ENCAPSULATION À BLINDAGE ÉLECTROMAGNÉTIQUE ET PROCÉDÉ D'ENCAPSULATION CORRESPONDANT

Numéro de publication WO/2021/017206
Date de publication 04.02.2021
N° de la demande internationale PCT/CN2019/113021
Date du dépôt international 24.10.2019
CIB
H01L 21/50 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
H01L 23/552 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
552Protection contre les radiations, p.ex. la lumière
CPC
H01L 21/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
H01L 21/56
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
H01L 23/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
31characterised by the arrangement ; or shape
H01L 23/552
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
552Protection against radiation, e.g. light ; or electromagnetic waves
Déposants
  • 江苏长电科技股份有限公司 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 鲍漫 BAO, Man
  • 刘怡 LIU, Yi
  • 龚臻 GONG, Zhen
Mandataires
  • 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) SUZHOU WISPRO INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY
Données relatives à la priorité
201910681409.726.07.2019CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) ELECTROMAGNETIC SHIELDING PACKAGING STRUCTURE AND PACKAGING METHOD THEREFOR
(FR) STRUCTURE D'ENCAPSULATION À BLINDAGE ÉLECTROMAGNÉTIQUE ET PROCÉDÉ D'ENCAPSULATION CORRESPONDANT
(ZH) 电磁屏蔽封装结构及其封装方法
Abrégé
(EN)
Disclosed are an electromagnetic shielding packaging structure and a packaging method. The packaging method for the electromagnetic shielding packaging structure comprises: providing a base plate of a copper raw material; forming a transition layer after a photoresist film operation twice, wherein the transition layer internally comprises conductive connecting ribs used for connecting function pins to the outer side wall; then attaching a chip for primary packaging, and etching away the conductive connecting ribs used for connecting the function pins to the outer side wall after the primary packaging; then, carrying out secondary packaging on the etching portion, cutting off the connection between the function pins and the outer side wall by means of plastic packaging compounds after units are formed by means of cutting, and only keeping the connection between grounding pins and the outer side wall by means of conductive connecting ribs; and such that after metal protection layers are plated by means of sputtering, enabling only the conductive connecting ribs to be in communication with shielding covers to form the electromagnetic shielding packaging structure. The present invention improves the performance of a packaging body, saving on manufacturing costs and usage costs.
(FR)
L’invention concerne une structure d'encapsulation à blindage électromagnétique et un procédé d'encapsulation. Le procédé d'encapsulation de la structure d'encapsulation à blindage électromagnétique consiste : à fournir une plaque de base d'une matière cuprifère brute ; à former une couche de transition après une opération de film de photorésine à deux reprises, la couche de transition comprenant intérieurement des nervures de liaison conductrices servant à relier des broches de fonction à la paroi latérale externe ; puis à fixer une puce en vue d'une encapsulation primaire, et à éliminer par gravure les nervures de liaison conductrices servant à relier les broches de fonction à la paroi latérale externe après l'encapsulation primaire ; puis à réaliser une encapsulation secondaire sur la partie de gravure, à couper la liaison entre les broches de fonction et la paroi latérale externe à l'aide de composés d'encapsulation en plastique après formation d'unités au moyen de la coupure, et à conserver uniquement la liaison entre les broches de mise à la terre et la paroi latérale extérieure au moyen de nervures de liaison conductrices ; et une fois les couches de blindage métalliques plaquées au moyen d'une pulvérisation, permettre uniquement aux nervures de liaison conductrices d'être en communication avec des revêtements de blindage de manière à former la structure d'encapsulation à blindage électromagnétique. La présente invention améliore les performances d'un corps d'encapsulation, ce qui permet d'économiser sur les coûts de fabrication et les coûts d'utilisation.
(ZH)
本发明揭示了一种电磁屏蔽封装结构及封装方法,电磁屏蔽封装结构的封装方法包括:提供铜原材质的基础板材,经过两次光阻膜作业后形成过渡层,过渡层中包括连接功能引脚至外侧壁的导电连筋,之后贴装芯片进行一次包封,并在其后蚀刻掉连接功能引脚至外侧壁的导电连筋,再对蚀刻部位进行二次包封,在切割形成单体后,通过塑封料阻隔功能引脚与外侧壁连接,仅保留接地引脚与外侧壁通过导电连筋连接;如此,在溅镀金属保护层后,仅使得导电连筋与屏蔽罩导通,形成电磁屏蔽封装结构。本发明提升封装体的性能、节约制造成本及使用成本。
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