(EN) A semiconductor device may include a substrate and a hyper-abrupt junction region carried by the substrate. The hyper-abrupt junction region may include a first semiconductor layer having a first conductivity type, a superlattice layer on the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer on the superlattice layer and having a second conductivity type different than the first conductivity type. The superlattice may include stacked groups of layers, with each group of layers including stacked base semiconductor monolayers defining a base semiconductor portion, and at least one non-semiconductor monolayer constrained within a crystal lattice of adjacent base semiconductor portions. The semiconductor device may further include a first contact coupled to the hyper-abrupt junction region, and a second contact coupled to the substrate to define a varactor.
(FR) L'invention concerne un dispositif électronique qui peut comprendre un substrat et une région de jonction hyper-abrupte supportée par le substrat. La région de jonction hyper-abrupte peut comprendre une première couche semi-conductrice ayant un premier type de conductivité, une couche de super-réseau sur la première couche semi-conductrice, et une seconde couche semi-conductrice sur la couche de super-réseau et ayant un second type de conductivité différent du premier type de conductivité. Le super-réseau peut comprendre des groupes empilés de couches, chaque groupe de couches comprenant des monocouches semi-conductrices de base empilées définissant une partie semi-conductrice de base, et au moins une monocouche non semi-conductrice contrainte à l’intérieur d’un réseau cristallin de parties semi-conductrices de base adjacentes. Le dispositif à semi-conducteur peut en outre comprendre un premier contact couplé à la région de jonction hyper-abrupte, et un second contact couplé au substrat pour définir un varactor.