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1. WO2021002919 - DISPOSITIFS TÉRAHERTZ ET SOUS-TÉRAHERTZ

Numéro de publication WO/2021/002919
Date de publication 07.01.2021
N° de la demande internationale PCT/US2020/030248
Date du dépôt international 28.04.2020
CIB
H01L 31/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
H01L 31/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
12structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sources
G02F 2/00 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
FDISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
2Démodulation de la lumière; Transfert de la modulation de la lumière modulée; Changement de fréquence de la lumière
Déposants
  • RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE [US]/[US]
Inventeurs
  • SHUR, Michael
Mandataires
  • GANGEMI, Anthony, P.
Données relatives à la priorité
62/839,83029.04.2019US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) TERAHERTZ AND SUB-TERAHERTZ DEVICES
(FR) DISPOSITIFS TÉRAHERTZ ET SOUS-TÉRAHERTZ
Abrégé
(EN)
One embodiment provides a semiconducting device for at least one of detecting, producing or manipulating electromagnetic radiation having a frequency of at least 100 gigahertz (GHz). The semiconducting device includes a heterodimensional plasmonic structure, and an active layer. The heterodimensional plasmonic structure includes at least one nanostructure configured to form a heterodimensional junction with the active layer and having a tunable resonant plasmon frequency.
(FR)
Un mode de réalisation concerne un dispositif semi-conducteur pour la détection, la production ou la manipulation d'un rayonnement électromagnétique ayant une fréquence d'au moins 100 gigahertz (GHz). Le dispositif semi-conducteur comprend une structure plasmonique hétérodimensionnelle, et une couche active. La structure plasmonique hétérodimensionnelle comprend au moins une nanostructure conçue pour former une jonction hétérodimensionnelle avec la couche active et ayant une fréquence de plasmon de résonance accordable.
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