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1. WO2020245998 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/245998
Date de publication 10.12.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/022618
Date du dépôt international 06.06.2019
CIB
H01L 23/29 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
29caractérisées par le matériau
H01L 23/36 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
CPC
H01L 23/29
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
29characterised by the material ; , e.g. carbon
H01L 23/36
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
Déposants
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 山本 圭 YAMAMOTO, Kei
  • 矢野 新也 YANO, Shinya
  • 山根 朋久 YAMANE, Tomohisa
  • 六分一 穂隆 ROKUBUICHI, Hodaka
Mandataires
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
Données relatives à la priorité
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER CONVERSION DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法
Abrégé
(EN) This semiconductor device (50) comprises: a semiconductor element (10), a sealing resin (2), a metal base plate (3), a cooling structure (4), and a first sealing member (6). The metal base plate (3) includes a first base portion (31) and a second base portion (32). The first base portion (31) has a first portion (311) and a second portion (312). The second base portion (32) is recessed inward from the second portion (312). The sealing resin (2) enters the region where the first portion (311) and the cooling structure (4) face each other. The second base portion (32) includes a side surface (32s) facing a peripheral wall portion (42). The peripheral wall portion (42) includes an inner wall (42i) facing the side surface (32s). The first sealing member (6) seals a gap between the side surface (32s) and the inner wall (42i) over the entire circumference of the peripheral wall portion (42).
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (50) comprenant : un élément semi-conducteur (10), une résine d'étanchéité (2), une plaque de base métallique (3), une structure de refroidissement (4), et un premier élément d'étanchéité (6). La plaque de base métallique (3) comprend une première partie de base (31) et une seconde partie de base (32). La première partie de base (31) a une première partie (311) et une seconde partie (312). La seconde partie de base (32) est évidée à l’intérieur à partir de la seconde partie (312). La résine d'étanchéité (2) pénètre dans la région où la première partie (311) et la structure de refroidissement (4) se font face. La seconde partie de base (32) comprend une surface latérale (32s) faisant face à une partie de paroi périphérique (42). La partie de paroi périphérique (42) comprend une paroi interne (42i) faisant face à la surface latérale (32s). Le premier élément d'étanchéité (6) étanchéifie un espace entre la surface latérale (32s) et la paroi interne (42i) sur toute la circonférence de la partie de paroi périphérique (42).
(JA) 半導体装置(50)は、半導体素子(10)と、封止樹脂(2)と、金属ベース板(3)と、冷却構造体(4)と、第1シール部材(6)とを備える。金属ベース板(3)は、第1ベース部(31)と第2ベース部(32)とを含む。第1ベース部(31)は、第1部分(311)と第2部分(312)とを有する。第2ベース部(32)は、第2部分(312)よりも内側に凹んでいる。封止樹脂(2)は、第1部分(311)と冷却構造体(4)とが向かい合う領域に入り込む。第2ベース部(32)は、周壁部(42)に向かい合う側面(32s)を含む。周壁部(42)は、側面(32s)に向かい合う内壁(42i)を含む。第1シール部材(6)は、周壁部(42)の全周にわたって側面(32s)と内壁(42i)との間の隙間を封止している。
Documents de brevet associés
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