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1. WO2020244878 - AMPLIFICATEUR À FAIBLE BRUIT AVEC CANAL DE CONDUCTION QUANTIFIÉ

Numéro de publication WO/2020/244878
Date de publication 10.12.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2020/062598
Date du dépôt international 06.05.2020
CIB
H03F 1/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
1Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
02Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p.ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H03F 3/193 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
189Amplificateurs à haute fréquence, p.ex. amplificateurs radiofréquence
19comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
193comportant des dispositifs à effet de champ
H03F 19/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
19Amplificateurs utilisant les effets de supraconductivité
CPC
G06N 10/00
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
NCOMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
10Quantum computers, i.e. computer systems based on quantum-mechanical phenomena
H01L 29/775
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
775with one dimensional charge carrier gas channel, e.g. quantum wire FET
H01L 29/778
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
778with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
H03F 1/0216
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
0205in transistor amplifiers
0211with control of the supply voltage or current
0216Continuous control
H03F 1/301
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage ; or other physical parameters
301in MOSFET amplifiers
H03F 1/523
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
52Circuit arrangements for protecting such amplifiers
523for amplifiers using field-effect devices
Déposants
  • INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US]/[US]
  • IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB]/[GB] (MG)
Inventeurs
  • ZOTA, Cezar, Bogdan
  • CZORNOMAZ, Lukas
Mandataires
  • WILLIAMS, Julian
Données relatives à la priorité
16/433,16306.06.2019US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) LOW-NOISE AMPLIFIER WITH QUANTIZED CONDUCTION CHANNEL
(FR) AMPLIFICATEUR À FAIBLE BRUIT AVEC CANAL DE CONDUCTION QUANTIFIÉ
Abrégé
(EN)
An amplifier, e.g., a low-noise amplifier, includes a field-effect transistor having a one-dimensional channel. This channel includes a semiconductor material for conducting electrons along a main direction of the channel. This direction is perpendicular to a cross-section of the channel. Dimensions of this cross-section are, together with the semiconductor material, such that the channel exhibits quantized conduction of electrons along its main direction. The amplifier further includes an electrical circuit that is configured to operate the transistor at a value of gate-to- source voltage bias corresponding to a peak value of a peak of a transconductance of the channel with respect to gate-to-source voltage bias values.
(FR)
La présente invention concerne un amplificateur, par exemple un amplificateur à faible bruit, qui comprend un transistor à effet de champ ayant un canal unidimensionnel. Ce canal comprend un matériau semi-conducteur pour conduire des électrons le long d'une direction principale du canal. Cette direction est perpendiculaire à une section transversale du canal. Les dimensions de cette section transversale sont, conjointement avec le matériau semi-conducteur, de telle sorte que le canal présente une conduction quantifiée d'électrons le long de sa direction principale. L'amplificateur comprend en outre un circuit électrique qui est configuré pour faire fonctionner le transistor à une valeur de polarisation de tension grille-source correspondant à une valeur de crête d'un pic d'une transconductance du canal par rapport à des valeurs de polarisation de tension grille-source.
Également publié en tant que
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