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1. WO2020244549 - RÉSINE PHOTOSENSIBLE À POINTS QUANTIQUES, COUCHE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINTS QUANTIQUES OBTENUE À PARTIR DE CETTE DERNIÈRE, QDEL COMPRENANT UNE COUCHE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINTS QUANTIQUES, ET PRÉPARATION ET APPLICATION ASSOCIÉES

Numéro de publication WO/2020/244549
Date de publication 10.12.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2020/094161
Date du dépôt international 03.06.2020
CIB
G03F 7/004 2006.1
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004Matériaux photosensibles
CPC
G03F 7/004
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
G03F 7/038
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
G03F 7/0385
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
0385using epoxidised novolak resin
H01L 51/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
H01L 51/502
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
5012Electroluminescent [EL] layer
502comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
H01L 51/56
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
56Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices or of parts thereof
Déposants
  • 北京师范大学 BEIJING NORMAL UNIVERSITY [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 邹应全 ZOU, Yingquan
  • 肖正君 XIAO, Zhengjun
  • 辛阳阳 XIN, Yangyang
Mandataires
  • 北京市中咨律师事务所 ZHONGZI LAW OFFICE
Données relatives à la priorité
201910485642.805.06.2019CN
Langue de publication Chinois (zh)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) QUANTUM DOT PHOTORESIST, QUANTUM DOT LIGHT-EMITTING LAYER OBTAINED THEREFROM, QLED COMPRISING QUANTUM DOT LIGHT-EMITTING LAYER, AND PREPARATION AND APPLICATION THEREOF
(FR) RÉSINE PHOTOSENSIBLE À POINTS QUANTIQUES, COUCHE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINTS QUANTIQUES OBTENUE À PARTIR DE CETTE DERNIÈRE, QDEL COMPRENANT UNE COUCHE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINTS QUANTIQUES, ET PRÉPARATION ET APPLICATION ASSOCIÉES
(ZH) 量子点光刻胶、由其获得的量子点发光层、包含该量子点发光层的QLED及其制备和应用
Abrégé
(EN) A quantum dot photoresist suitable for the photolithographic preparation of a quantum dot light-emitting layer (3) having nanoscale thickness. The photoresist comprises a photoresist mother liquor, quantum dots having thiol surface ligands and a carrier transport material. After the photoresist is patterned, a quantum dot light-emitting layer (3) having nanoscale thickness may be obtained to thereby be applied to a QLED. A quantum dot light-emitting layer (3) obtained from the quantum dot photoresist, which usually has a thickness of less than 100 nm, and which is suitable for preparing a QLED. A preparation for the quantum dot light-emitting layer (3), a QLED comprising the quantum dot light-emitting layer (3), and a light-emitting device, an illumination device and a display device comprising the quantum dot light-emitting layer (3) or QLED.
(FR) L'invention concerne une photorésine à points quantiques convenant à la préparation photolithographique d'une couche électroluminescente à points quantiques (3) ayant une épaisseur nanométrique. La résine photosensible comprend une liqueur mère de résine photosensible, des points quantiques ayant des ligands de surface thiol et un matériau de transport de support. Après la formation de motif de la résine photosensible, une couche électroluminescente à points quantiques (3) ayant une épaisseur nanométrique peut être obtenue pour être appliquée à une QLED. Une couche électroluminescente à points quantiques (3) est obtenue de la résine photosensible à points quantiques, qui a généralement une épaisseur inférieure à 100 nm, et qui est appropriée pour préparer une QLED. L'invention concerne également une préparation destinée à la couche électroluminescente à points quantiques (3), une QLED comprenant la couche électroluminescente à points quantiques (3), et un dispositif électroluminescent, un dispositif d'éclairage et un dispositif d'affichage comprenant la couche électroluminescente à points quantiques (3) ou QLED.
(ZH) 一种适于光刻制备具有纳米级厚度的量子点发光层(3)的量子点光刻胶,该光刻胶包含光刻胶母液、具有硫醇表面配体的量子点以及载流子传输材料。该光刻胶图案化后可获得具有纳米级别厚度的量子点发光层(3),从而可应用于QLED。一种由量子点光刻胶获得的量子点发光层(3),其厚度通常小于100nm,适合制备QLED。一种量子点发光层(3)的制备,包含量子点发光层(3)的QLED以及包含量子点发光层(3)或QLED的发光装置、照明装置和显示装置。
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