Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020244541 - TRANSISTOR À COUCHES MINCES, PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2020/244541
Date de publication 10.12.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2020/094147
Date du dépôt international 03.06.2020
CIB
H01L 51/05 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 51/30 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
30Emploi de matériaux spécifiés
H01L 51/40 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
40Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 29/786 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
H01L 51/0048
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0045Carbon containing materials, e.g. carbon nanotubes, fullerenes
0048Carbon nanotubes
H01L 51/0541
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
0541Lateral single gate single channel transistors with non inverted structure, i.e. the organic semiconductor layer is formed before the gate electode
H01L 51/0558
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
0558characterised by the channel of the transistor
Déposants
  • 京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN]/[CN]
  • 北京大学 PEKING UNIVERSITY [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 黄奇 HUANG, Qi
  • 梁学磊 LIANG, Xuelei
  • 孟虎 MENG, Hu
Mandataires
  • 北京市柳沈律师事务所 LIU, SHEN & ASSOCIATES
Données relatives à la priorité
201910488469.705.06.2019CN
Langue de publication Chinois (zh)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) THIN FILM TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD FOR SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(ZH) 薄膜晶体管及其制作方法、电子装置
Abrégé
(EN) A thin film transistor, a manufacturing method for the same, and an electronic device. The thin film transistor comprises a base substrate (100), and a gate (21), a gate insulation layer (22), an active layer (23), a first electrode (24), and a second electrode (25) disposed on the base substrate (100). A material of the active layer (23) is a one-dimensional semiconductor nano-material. The active layer (23) comprises a first electrode region (231), a second electrode region (232), a first channel region (233), and a second channel region (234). The first electrode region (231) and the second electrode region (232) are in contact with the first electrode (24) and the second electrode (25), respectively. The first channel region (233) is directly connected to the first electrode region (231) and the second channel region (234) separately. The second channel region (234) is located between the first channel region (233) and the second electrode region (232). The second channel region (234) is a first doped region. The second channel region (234) and the first channel region (233) correspond to different energy levels. The thin film transistor achieves effective reduction of an off-state leakage current and an increase in an on-state current.
(FR) La présente invention concerne un transistor à couches minces, son procédé de fabrication, et un dispositif électronique. Le transistor à couches minces comprend un substrat de base (100), et une grille (21), une couche d'isolation de grille (22), une couche active (23), une première électrode (24), et une seconde électrode (25) disposée sur le substrat de base (100). Un matériau de la couche active (23) est un nanomatériau semi-conducteur unidimensionnel. La couche active (23) comprend une première région d'électrode (231), une seconde région d'électrode (232), une première région de canal (233) et une seconde région de canal (234). La première région d'électrode (231) et la seconde région d'électrode (232) sont en contact avec la première électrode (24) et la seconde électrode (25), respectivement. La première région de canal (233) est directement connectée à la première région d'électrode (231) et à la seconde région de canal (234) séparément. La seconde région de canal (234) est située entre la première région de canal (233) et la seconde région d'électrode (232). La seconde région de canal (234) est une première région dopée. La seconde région de canal (234) et la première région de canal (233) correspondent à différents niveaux d'énergie. Le transistor à couches minces réalise une réduction efficace d'un courant de fuite à l'état bloqué et une augmentation d'un courant à l'état passant.
(ZH) 一种薄膜晶体管及其制作方法、电子装置,该薄膜晶体管包括衬底基板(100)、以及设置于所述衬底基板(100)上的栅极(21)、栅极绝缘层(22)、有源层(23)、第一极(24)和第二极(25),所述有源层(23)的材料是一维半导体纳米材料,所述有源层(23)包括第一极区(231)、第二极区(232)、第一沟道区(233)和第二沟道区(234);所述第一极区(231)和所述第二极区(232)分别与所述第一极(24)和所述第二极(25)接触,所述第一沟道区(233)分别与所述第一极区(231)和所述第二沟道区(234)直接连接,所述第二沟道区(234)位于所述第一沟道区(233)与所述第二极区(232)之间;所述第二沟道区(234)为第一掺杂区,所述第二沟道区(234)与所述第一沟道区(233)的对应的能级不同。该薄膜晶体管可以有效降低关态漏电流并提高开态电流。
Documents de brevet associés
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international