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1. WO2020241168 - ÉLÉMENT D'IMAGERIE, ÉLÉMENT D'IMAGERIE MULTICOUCHE, DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE INORGANIQUE

Numéro de publication WO/2020/241168
Date de publication 03.12.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/018224
Date du dépôt international 30.04.2020
CIB
H01L 51/42 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
42spécialement adaptés pour détecter les rayons infrarouges, la lumière, le rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou le rayonnement corpusculaire; spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H01L 27/146 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H04N 5/369 2011.1
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
CPC
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H01L 51/42
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
42specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electro-magnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation ; using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other material as the active part; Multistep processes for their manufacture
H04N 5/369
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
Y02E 10/549
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
549Organic PV cells
Déposants
  • ソニーグループ株式会社 SONY GROUP CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 森脇 俊貴 MORIWAKI Toshiki
  • 中野 博史 NAKANO Hiroshi
  • 飯野 陽一郎 IINO Yoichiro
Mandataires
  • 特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION
Données relatives à la priorité
2019-09745724.05.2019JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) IMAGING ELEMENT, MULTILAYER IMAGING ELEMENT, SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND INORGANIC OXIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE, ÉLÉMENT D'IMAGERIE MULTICOUCHE, DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE INORGANIQUE
(JA) 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、無機酸化物半導体材料
Abrégé
(EN) This imaging element is provided with a photoelectric conversion part wherein a first electrode 21, a photoelectric conversion layer 23A that is composed of an organic material, and a second electrode 22 are stacked; an inorganic oxide semiconductor material layer 23B is formed between the first electrode 21 and the photoelectric conversion layer 23A; and if the composition of an inorganic oxide semiconductor material that constitutes the inorganic oxide semiconductor material layer 23B is expressed by MaNbSncO (wherein M represents an aluminum (Al) atom, and N represents a gallium (Ga) atom and/or a zinc (Zn) atom), a, b and c satisfy (a + b + c) = 1.00, 0.01 ≤ a ≤ 0.04, and b < c.
(FR) La présente invention concerne un élément d'imagerie pourvu d'une partie de conversion photoélectrique dans laquelle une première électrode (21), une couche de conversion photoélectrique (23A) qui est composée d'un matériau organique, et une seconde électrode (22) sont empilées; une couche de matériau semi-conducteur à oxyde inorganique (23B) est formée entre la première électrode (21) et la couche de conversion photoélectrique (23A); et si la composition d'un matériau semi-conducteur à oxyde inorganique qui constitue la couche de matériau semi-conducteur à oxyde inorganique (23B) est exprimée par MaNbSncO (où M représente un atome aluminium (Al), et N représente un atome de gallium (Ga) et/ou un atome de zinc (Zn), a, b et c satisfont la relation (a + b + c) = 1,00, 0,01 ≤ a ≤ 0,04, et b < c.
(JA) 撮像素子は、第1電極21、有機系材料から成る光電変換層23A及び第2電極22が積層されて成る光電変換部を備えており、第1電極21と光電変換層23Aとの間には無機酸化物半導体材料層23Bが形成されており、無機酸化物半導体材料層23Bを構成する無機酸化物半導体材料の組成を、MabSncO(但し、Mはアルミニウム(Al)原子を示し、Nは、ガリウム(Ga)原子、又は、亜鉛(Zn)原子、又は、ガリウム(Ga)原子及び亜鉛(Zn)原子を示す)で表したとき、a+b+c=1.00、0.01≦a≦0.04、及び、b<cを満足する。
Documents de brevet associés
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