(EN) This imaging element is provided with a photoelectric conversion part wherein a first electrode 21, a photoelectric conversion layer 23A that is composed of an organic material, and a second electrode 22 are stacked; an inorganic oxide semiconductor material layer 23B is formed between the first electrode 21 and the photoelectric conversion layer 23A; and if the composition of an inorganic oxide semiconductor material that constitutes the inorganic oxide semiconductor material layer 23B is expressed by MaNbSncO (wherein M represents an aluminum (Al) atom, and N represents a gallium (Ga) atom and/or a zinc (Zn) atom), a, b and c satisfy (a + b + c) = 1.00, 0.01 ≤ a ≤ 0.04, and b < c.
(FR) La présente invention concerne un élément d'imagerie pourvu d'une partie de conversion photoélectrique dans laquelle une première électrode (21), une couche de conversion photoélectrique (23A) qui est composée d'un matériau organique, et une seconde électrode (22) sont empilées; une couche de matériau semi-conducteur à oxyde inorganique (23B) est formée entre la première électrode (21) et la couche de conversion photoélectrique (23A); et si la composition d'un matériau semi-conducteur à oxyde inorganique qui constitue la couche de matériau semi-conducteur à oxyde inorganique (23B) est exprimée par MaNbSncO (où M représente un atome aluminium (Al), et N représente un atome de gallium (Ga) et/ou un atome de zinc (Zn), a, b et c satisfont la relation (a + b + c) = 1,00, 0,01 ≤ a ≤ 0,04, et b < c.
(JA) 撮像素子は、第1電極21、有機系材料から成る光電変換層23A及び第2電極22が積層されて成る光電変換部を備えており、第1電極21と光電変換層23Aとの間には無機酸化物半導体材料層23Bが形成されており、無機酸化物半導体材料層23Bを構成する無機酸化物半導体材料の組成を、MaNbSncO(但し、Mはアルミニウム(Al)原子を示し、Nは、ガリウム(Ga)原子、又は、亜鉛(Zn)原子、又は、ガリウム(Ga)原子及び亜鉛(Zn)原子を示す)で表したとき、a+b+c=1.00、0.01≦a≦0.04、及び、b<cを満足する。