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1. WO2020241165 - ÉLÉMENT D'IMAGERIE, ÉLÉMENT D'IMAGERIE STRATIFIÉ, DISPOSITIF D'IMAGERIE À L’ÉTAT SOLIDE ET MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE INORGANIQUE

Numéro de publication WO/2020/241165
Date de publication 03.12.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/018207
Date du dépôt international 29.04.2020
CIB
H01L 51/42 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
42spécialement adaptés pour détecter les rayons infrarouges, la lumière, le rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou le rayonnement corpusculaire; spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H01L 31/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
H01L 27/146 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H04N 5/369 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
CPC
Y02E 10/549
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
549Organic PV cells
Déposants
  • ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 飯野 陽一郎 IINO Yoichiro
  • 中野 博史 NAKANO Hiroshi
  • 森脇 俊貴 MORIWAKI Toshiki
Mandataires
  • 山本 孝久 YAMAMOTO Takahisa
  • 吉井 正明 YOSHII Masaaki
Données relatives à la priorité
2019-09745624.05.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) IMAGING ELEMENT, LAMINATED IMAGING ELEMENT, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, AND INORGANIC OXIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE, ÉLÉMENT D'IMAGERIE STRATIFIÉ, DISPOSITIF D'IMAGERIE À L’ÉTAT SOLIDE ET MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE INORGANIQUE
(JA) 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、無機酸化物半導体材料
Abrégé
(EN)
This imaging element comprises a photoelectric conversion unit obtained by laminating a first electrode 21, a photoelectric conversion layer 23A formed of an organic material, and a second electrode 22, wherein an inorganic oxide semiconductor material layer 23B is formed between the first electrode 21 and the photoelectric conversion layer 23A, and the inorganic oxide semiconductor material that constitutes the inorganic oxide semiconductor material layer 23B is formed of aluminum (Al) atoms, tin (Sn) atoms, zinc (Zn) atoms, and oxygen (O) atoms.
(FR)
L'invention concerne un élément d'imagerie qui comprend une unité de conversion photoélectrique obtenue par stratification d'une première électrode 21, d'une couche 23A de conversion photoélectrique formée d'un matériau organique, et d'une seconde électrode 22, une couche 23B de matériau semi-conducteur à oxyde inorganique étant formée entre la première électrode 21 et la couche 23A de conversion photoélectrique, et le matériau semi-conducteur à oxyde inorganique qui constitue la couche 23B de matériau semi-conducteur à oxyde inorganique étant formé d'atomes d'aluminium (Al), d'atomes d'étain (Sn) ou d'atomes de zinc (Zn) et d'atomes d'oxygène (O).
(JA)
撮像素子は、第1電極21、有機系材料から成る光電変換層23A及び第2電極22が積層されて成る光電変換部を備えており、第1電極21と光電変換層23Aとの間には無機酸化物半導体材料層23Bが形成されており、無機酸化物半導体材料層23Bを構成する無機酸化物半導体材料は、アルミニウム(Al)原子、スズ(Sn)原子、亜鉛(Zn)原子及び酸素(O)原子から構成されている。
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