(EN) This imaging element comprises a photoelectric conversion unit obtained by laminating a first electrode 21, a photoelectric conversion layer 23A formed of an organic material, and a second electrode 22, wherein an inorganic oxide semiconductor material layer 23B is formed between the first electrode 21 and the photoelectric conversion layer 23A, and the inorganic oxide semiconductor material that constitutes the inorganic oxide semiconductor material layer 23B is formed of aluminum (Al) atoms, tin (Sn) atoms, zinc (Zn) atoms, and oxygen (O) atoms.
(FR) L'invention concerne un élément d'imagerie qui comprend une unité de conversion photoélectrique obtenue par stratification d'une première électrode 21, d'une couche 23A de conversion photoélectrique formée d'un matériau organique, et d'une seconde électrode 22, une couche 23B de matériau semi-conducteur à oxyde inorganique étant formée entre la première électrode 21 et la couche 23A de conversion photoélectrique, et le matériau semi-conducteur à oxyde inorganique qui constitue la couche 23B de matériau semi-conducteur à oxyde inorganique étant formé d'atomes d'aluminium (Al), d'atomes d'étain (Sn) ou d'atomes de zinc (Zn) et d'atomes d'oxygène (O).
(JA) 撮像素子は、第1電極21、有機系材料から成る光電変換層23A及び第2電極22が積層されて成る光電変換部を備えており、第1電極21と光電変換層23Aとの間には無機酸化物半導体材料層23Bが形成されており、無機酸化物半導体材料層23Bを構成する無機酸化物半導体材料は、アルミニウム(Al)原子、スズ(Sn)原子、亜鉛(Zn)原子及び酸素(O)原子から構成されている。