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1. WO2020240790 - MODULE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE

Numéro de publication WO/2020/240790
Date de publication 03.12.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/021601
Date du dépôt international 30.05.2019
CIB
H01L 25/07 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H01L 21/60 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 23/48 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 25/18 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
CPC
H01L 2224/32225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
32of an individual layer connector
321Disposition
32151the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
32221the body and the item being stacked
32225the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
H01L 2224/48091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
4805Shape
4809Loop shape
48091Arched
H01L 2224/48227
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
481Disposition
48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
48221the body and the item being stacked
48225the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
48227connecting the wire to a bond pad of the item
H01L 2224/48472
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
484Connecting portions
4847the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
48472the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
H01L 2224/49175
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
49of a plurality of wire connectors
491Disposition
4912Layout
49175Parallel arrangements
H01L 2224/73265
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
732Location after the connecting process
73251on different surfaces
73265Layer and wire connectors
Déposants
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 人見 晴子 HITOMI, Haruko
  • 原田 耕三 HARADA, Kozo
  • 坂本 健 SAKAMOTO, Ken
Mandataires
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) POWER SEMICONDUCTOR MODULE AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) パワー半導体モジュール及び電力変換装置
Abrégé
(EN)
A conductive wire (20) is connected to a front electrode (17) of a semiconductor element (15) at a connection part (21). A first resin member (30) covers at least one of both end parts (21p, 21q) of the connection part (21), a first surface (17a) of the front electrode (17), and a second surface (20a) of the conductive wire (20). A second resin member (33) covers a bent part (31) of the first resin member (30). The first resin member (30) has a higher elongation at break and a higher break strength than the second resin member (33). The second resin member (33) has a second tensile modulus that is higher than a first tensile modulus of the first resin member (30). A power semiconductor module (1) has improved reliability.
(FR)
L'invention concerne un fil conducteur (20) qui est connecté à une électrode avant (17) d'un élément semi-conducteur (15) au niveau d'une partie de connexion (21). Un premier élément en résine (30) recouvre au moins l'une des deux parties d'extrémité (21p, 21q) de la partie de connexion (21), une première surface (17a) de l'électrode avant (17), et une seconde surface (20a) du fil conducteur (20). Un second élément en résine (33) recouvre une partie courbée (31) du premier élément en résine (30). Le premier élément en résine (30) a un allongement à la rupture supérieur et une résistance à la rupture supérieure à celle du second élément en résine (33). Le second élément en résine (33) a un second module de traction qui est supérieur à un premier module de traction du premier élément en résine (30). Un module semi-conducteur de puissance (1) a une fiabilité améliorée.
(JA)
導電ワイヤ(20)は、接合部(21)において、半導体素子(15)の前面電極(17)に接合されている。第1樹脂部材(30)は、接合部(21)の両端部(21p,21q)の少なくとも一つと、前面電極(17)の第1表面(17a)と、導電ワイヤ(20)の第2表面(20a)とを覆っている。第2樹脂部材(33)は、第1樹脂部材(30)の屈曲部(31)を覆っている。第1樹脂部材(30)は、第2樹脂部材(33)よりも高い破断伸び率及び高い破断強度を有する。第2樹脂部材(33)の第2引張弾性率は、第1樹脂部材(30)の第1引張弾性率よりも高い。パワー半導体モジュール(1)は、向上された信頼性を有する。
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