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1. WO2020238646 - TRANCHE DE MONOCRISTAL DE GERMANIUM, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE TRANCHE DE MONOCRISTAL DE GERMANIUM, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE BARRE DE CRISTAL ET UTILISATION DE TRANCHE DE MONOCRISTAL

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Numéro de publication WO/2020/238646
Date de publication 03.12.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2020/090402
Date du dépôt international 15.05.2020
CIB
C30B 29/08 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02Eléments
08Germanium
H01L 29/16 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
12caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
16comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
CPC
B24B 1/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
1Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
B24B 9/065
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
9Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
02characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
06of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
065of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
B28D 5/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
5Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
C30B 11/002
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
002Crucibles or containers for supporting the melt
C30B 11/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
02without using solvents
C30B 29/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
08Germanium
Déposants
  • 北京通美晶体技术有限公司 BEIJING TONGMEI XTAL TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 谢蒂 拉贾拉姆 SHETTY, Rajaram
  • 王元立 WANG, Yuanli
  • 刘卫国 LIU, Weiguo
  • 周雯婉 ZHOU, Yvonne
  • 朱颂义 CHU, Sung-Nee George
Mandataires
  • 北京北翔知识产权代理有限公司 PEKSUNG INTELLECTUAL PROPERTY LTD.
Données relatives à la priorité
201910483748.431.05.2019CN
Langue de publication Chinois (zh)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) GERMANIUM SINGLE-CRYSTAL WAFER, METHOD FOR PREPARING GERMANIUM SINGLE-CRYSTAL WAFER, METHOD FOR PREPARING CRYSTAL BAR, AND USE OF SINGLE-CRYSTAL WAFER
(FR) TRANCHE DE MONOCRISTAL DE GERMANIUM, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE TRANCHE DE MONOCRISTAL DE GERMANIUM, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE BARRE DE CRISTAL ET UTILISATION DE TRANCHE DE MONOCRISTAL
(ZH) 锗单晶片、其制法、晶棒的制法及单晶片的用途
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Abrégé
(EN) A germanium single-crystal wafer. The germanium single-crystal wafer contains silicon with an atomic concentration of 3×1014 atoms/cc to 10×1018 atoms/cc, boron with an atomic concentration of 1×1016 atoms/cc to 10×1018 atoms/cc, and gallium with an atomic concentration of 1×1016 atoms/cc to 10×1019 atoms/cc. Further provided are a method for preparing the germanium single-crystal wafer, a method for preparing a germanium single-crystal bar, and the use of the germanium single-crystal wafer for increasing the open-circuit voltage of a solar cell. The germanium single-crystal wafer has an improved electrical property, and has a smaller resistivity difference and a poor carrier concentration.
(FR) L'invention concerne une tranche de monocristal de germanium. La tranche de monocristal de germanium contient du silicium en une concentration atomique de 3 × 1014 atomes/centimètre cube à 10 × 1018 atomes/centimètre cube, du bore en une concentration atomique de 1 × 1016 atomes/centimètre cube à 10 × 1018 atomes/centimètre cube, et du gallium en une concentration atomique de 1 × 1016 atomes/centimètre cube à 10 × 1019 atomes/centimètre cube. L'invention concerne en outre un procédé de préparation de la tranche de monocristal de germanium, un procédé de préparation d'une barre de monocristal de germanium, et l'utilisation de la tranche de monocristal de germanium pour augmenter la tension de circuit ouvert d'une cellule solaire. La tranche de monocristal de germanium a une propriété électrique améliorée, et a une différence de résistivité plus faible et une concentration en porteurs médiocre.
(ZH) 一种锗单晶片，包含原子浓度为3×10 14atoms/cc至10×10 18atoms/cc的硅、原子浓度为1×10 16atoms/cc至10×10 18atoms/cc的硼以及原子浓度为1×10 16atoms/cc至10×10 19atoms/cc的镓。还提供了一种锗单晶片的制法、一种锗单晶棒的制法，以及一种锗单晶片用于增加太阳能电池开路电压的用途。锗单晶片具有改进的电学性能，具有更小的电阻率差和载流子浓度差。
Documents de brevet associés
CN110202419
EP3978657
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