(EN) A germanium single-crystal wafer. The germanium single-crystal wafer contains silicon with an atomic concentration of 3×1014 atoms/cc to 10×1018 atoms/cc, boron with an atomic concentration of 1×1016 atoms/cc to 10×1018 atoms/cc, and gallium with an atomic concentration of 1×1016 atoms/cc to 10×1019 atoms/cc. Further provided are a method for preparing the germanium single-crystal wafer, a method for preparing a germanium single-crystal bar, and the use of the germanium single-crystal wafer for increasing the open-circuit voltage of a solar cell. The germanium single-crystal wafer has an improved electrical property, and has a smaller resistivity difference and a poor carrier concentration.
(FR) L'invention concerne une tranche de monocristal de germanium. La tranche de monocristal de germanium contient du silicium en une concentration atomique de 3 × 1014 atomes/centimètre cube à 10 × 1018 atomes/centimètre cube, du bore en une concentration atomique de 1 × 1016 atomes/centimètre cube à 10 × 1018 atomes/centimètre cube, et du gallium en une concentration atomique de 1 × 1016 atomes/centimètre cube à 10 × 1019 atomes/centimètre cube. L'invention concerne en outre un procédé de préparation de la tranche de monocristal de germanium, un procédé de préparation d'une barre de monocristal de germanium, et l'utilisation de la tranche de monocristal de germanium pour augmenter la tension de circuit ouvert d'une cellule solaire. La tranche de monocristal de germanium a une propriété électrique améliorée, et a une différence de résistivité plus faible et une concentration en porteurs médiocre.
(ZH) 一种锗单晶片,包含原子浓度为3×10 14atoms/cc至10×10 18atoms/cc的硅、原子浓度为1×10 16atoms/cc至10×10 18atoms/cc的硼以及原子浓度为1×10 16atoms/cc至10×10 19atoms/cc的镓。还提供了一种锗单晶片的制法、一种锗单晶棒的制法,以及一种锗单晶片用于增加太阳能电池开路电压的用途。锗单晶片具有改进的电学性能,具有更小的电阻率差和载流子浓度差。