(EN) Provided is a display panel, comprising: a TFT array substrate (10); and a passivation layer (20) and an organic planarization layer (30) disposed thereon. A SiOx film layer, a SiNx film layer (50), and an OLED device layer are disposed on the organic planarization layer (30). The SiOx film layer comprises a first SiOx film layer portion (41) having a continuous configuration and a second SiOx film layer portion (43) having a discontinuous configuration, wherein the second SiOx film layer portion (43) has a textured surface, and forms a photonic crystal structure together with a corresponding portion of the SiNx film layer (50) disposed above. Further provided is a preparation method of a display panel, the method comprising providing a photonic crystal structure in a light emitting region of a display panel, so as to effectively improve the light emission rate of an OLED device disposed in the display panel.
(FR) Cette invention concerne un panneau d'affichage, comprenant : un substrat de matrice TFT (10) ; et une couche de passivation (20) et une couche de planarisation organique (30) disposées sur celui-ci. Une couche de film de SiOx, une couche de film de SiNx (50) et une couche de dispositif de DELO sont disposées sur la couche de planarisation organique (30). La couche de film de SiOx comprend une première partie de couche de film de SiOx (41) ayant une configuration continue et une seconde partie de couche de film de SiOx (43) ayant une configuration discontinue, la seconde partie de couche de film de SiOx (43) ayant une surface texturée, et formant une structure de cristal photonique conjointement avec une partie correspondante de la couche de film de SiNx (50) disposée au-dessus. L'invention concerne en outre un procédé de préparation d'un panneau d'affichage, le procédé comprenant la fourniture d'une structure de cristal photonique dans une région d'émission de lumière d'un panneau d'affichage, de façon à améliorer efficacement le taux d'émission de lumière d'un dispositif de DELO disposé dans le panneau d'affichage.
(ZH) 提供了一种显示面板,包括TFT阵列基板(10)和其上设置的钝化层(20)、有机平坦层(30)。其中有机平坦层(30)上设置有SiOx膜层、SiNx膜层(50)和OLED器件层,其中SiOx膜层包括连续设置的第一部分SiOx膜层(41)和不连续设置的第二部分SiOx膜层(43),其中第二部分SiOx膜层(43)的表面为绒状物形貌,并与其上设置的SiNx膜层(50)的对应部分构成光子晶体结构。还提供了一种显示面板的制备方法,通过在其发光区处设置光子晶体结构,进而有效地提升了其内设置的OLED器件的出光率。