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1. WO2020237834 - PANNEAU D'AFFICHAGE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION

Lien permanent
Numéro de publication WO/2020/237834
Date de publication 03.12.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/100138
Date du dépôt international 12.08.2019
CIB
H01L 27/32 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
32avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
H01L 21/77 2017.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
CPC
H01L 21/77
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
H01L 27/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
32with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
H01L 27/3223
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
32with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
3223combined with dummy elements, i.e. non-functional features
H01L 27/3244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
32with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
3241Matrix-type displays
3244Active matrix displays
Déposants
  • 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 林碧芬 LIN, Bifen
Mandataires
  • 深圳翼盛智成知识产权事务所（普通合伙） ESSEN PATENT & TRADEMARK AGENCY
Données relatives à la priorité
201910438866.324.05.2019CN
Langue de publication Chinois (zh)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) DISPLAY PANEL AND PREPARATION METHOD THEREOF
(FR) PANNEAU D'AFFICHAGE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 一种显示面板及其制备方法
front page image
Abrégé
(EN) Provided is a display panel, comprising: a TFT array substrate (10); and a passivation layer (20) and an organic planarization layer (30) disposed thereon. A SiOx film layer, a SiNx film layer (50), and an OLED device layer are disposed on the organic planarization layer (30). The SiOx film layer comprises a first SiOx film layer portion (41) having a continuous configuration and a second SiOx film layer portion (43) having a discontinuous configuration, wherein the second SiOx film layer portion (43) has a textured surface, and forms a photonic crystal structure together with a corresponding portion of the SiNx film layer (50) disposed above. Further provided is a preparation method of a display panel, the method comprising providing a photonic crystal structure in a light emitting region of a display panel, so as to effectively improve the light emission rate of an OLED device disposed in the display panel.
(FR) Cette invention concerne un panneau d'affichage, comprenant : un substrat de matrice TFT (10) ; et une couche de passivation (20) et une couche de planarisation organique (30) disposées sur celui-ci. Une couche de film de SiOx, une couche de film de SiNx (50) et une couche de dispositif de DELO sont disposées sur la couche de planarisation organique (30). La couche de film de SiOx comprend une première partie de couche de film de SiOx (41) ayant une configuration continue et une seconde partie de couche de film de SiOx (43) ayant une configuration discontinue, la seconde partie de couche de film de SiOx (43) ayant une surface texturée, et formant une structure de cristal photonique conjointement avec une partie correspondante de la couche de film de SiNx (50) disposée au-dessus. L'invention concerne en outre un procédé de préparation d'un panneau d'affichage, le procédé comprenant la fourniture d'une structure de cristal photonique dans une région d'émission de lumière d'un panneau d'affichage, de façon à améliorer efficacement le taux d'émission de lumière d'un dispositif de DELO disposé dans le panneau d'affichage.
(ZH) 提供了一种显示面板，包括TFT阵列基板（10）和其上设置的钝化层（20）、有机平坦层（30）。其中有机平坦层（30）上设置有SiOx膜层、SiNx膜层（50）和OLED器件层，其中SiOx膜层包括连续设置的第一部分SiOx膜层（41）和不连续设置的第二部分SiOx膜层（43），其中第二部分SiOx膜层（43）的表面为绒状物形貌，并与其上设置的SiNx膜层（50）的对应部分构成光子晶体结构。还提供了一种显示面板的制备方法，通过在其发光区处设置光子晶体结构，进而有效地提升了其内设置的OLED器件的出光率。
Documents de brevet associés
CN110190095
US20200373516
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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