(EN) A driving circuit, a digital logic circuit, and a related apparatus, which can be used to design driving circuits and digital logic circuits employing gallium nitride technology, to achieve integration with other gallium nitride devices, and to reduce quiescent currents of driving circuits and digital logic circuits. The driving circuit comprises: a depletion-mode gallium nitride transistor (101), a first enhancement-mode gallium nitride transistor (102), and a resistor (103). The resistor (103) is connected between a gate and a source of the depletion-mode gallium nitride transistor (101). The gate of the depletion-mode gallium nitride transistor (101) is connected to a drain of the first enhancement-mode gallium nitride transistor (102).
(FR) La présente invention concerne un circuit d'attaque, un circuit logique numérique et un appareil associé, qui peuvent être utilisés pour concevoir des circuits d'attaque et des circuits logiques numériques employant une technologie de nitrure de gallium, afin d'obtenir une intégration avec d'autres dispositifs au nitrure de gallium, et de réduire les courants de repos des circuits d'attaque et des circuits logiques numériques. Le circuit d'attaque comprend : un transistor au nitrure de gallium à mode d'appauvrissement (101), un premier transistor au nitrure de gallium à mode d'enrichissement (102), et une résistance (103). La résistance (103) est connectée entre une grille et une source du transistor au nitrure de gallium à mode d'appauvrissement (101). La grille du transistor à nitrure de gallium à mode d'appauvrissement (101) est connectée à un drain du premier transistor au nitrure de gallium à mode d'enrichissement (102).
(ZH) 一种驱动电路、数字逻辑电路及相关装置，可用于设计氮化镓工艺的驱动电路以及数字逻辑电路，实现与其他氮化镓工艺器件的集成，并可降低驱动电路以及数字逻辑电路的静态电流。该驱动电路包括：耗尽型氮化镓晶体管（101）、第一增强型氮化镓晶体管（102）和电阻（103），电阻（103）连接于耗尽型氮化镓晶体管（101）的栅极与源极之间，耗尽型氮化镓晶体管（101）的栅极与第一增强型氮化镓晶体管（102）的漏极连接。
