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1. WO2020220326 - CIRCUIT DE COMMUTATION, MÉLANGEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2020/220326
Date de publication 05.11.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/085335
Date du dépôt international 30.04.2019
CIB
H03D 7/14 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
DDÉMODULATION OU TRANSFERT DE MODULATION D'UNE ONDE PORTEUSE À UNE AUTRE
7Transfert de modulation d'une porteuse à une autre, p.ex. changement de fréquence
14Montages équilibrés
Déposants
  • 华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 周永丽 ZHOU, Yongli
  • 金香菊 JIN, Xiangju
  • 赖砚 LAI, Yan
Mandataires
  • 广州三环专利商标代理有限公司 SCIHEAD IP LAW FIRM
Données relatives à la priorité
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) SWITCH CIRCUIT, MIXER AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) CIRCUIT DE COMMUTATION, MÉLANGEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(ZH) 开关电路、混频器及电子设备
Abrégé
(EN)
An embodiment of the present application discloses a switch circuit, a mixer and an electronic device, wherein the switch circuit comprises a first metal oxide semiconductor MOS transistor, a second MOS transistor, a third MOS transistor and a fourth MOS transistor, wherein a gate of the first MOS transistor and a gate of the fourth MOS transistor are both connected to a first port, and a gate of the second MOS transistor and a gate of the third MOS transistor are both connected to a second port; the length of a lead between the gate of the first MOS transistor and the first port, the length of a lead between the gate of the second MOS transistor and the second port, the length of a lead between the gate of the third MOS transistor and the second port, and the length of a lead between the gate of the fourth MOS transistor and the first port are all equal; and the linearity is relatively high.
(FR)
Un mode de réalisation de la présente invention concerne un circuit de commutation, un mélangeur et un dispositif électronique, le circuit de commutation comprenant un premier transistor MOS à semi-conducteur à oxyde métallique, un deuxième transistor MOS, un troisième transistor MOS et un quatrième transistor MOS, une grille du premier transistor MOS et une grille du quatrième transistor MOS étant toutes deux connectées à un premier port, et une grille du second transistor MOS et une grille du troisième transistor MOS étant toutes deux connectées à un second port; la longueur d'un fil entre la grille du premier transistor MOS et le premier port, la longueur d'un fil entre la grille du deuxième transistor MOS et le deuxième port, la longueur d'un fil entre la grille du troisième transistor MOS et le deuxième port, et la longueur d'un fil entre la grille du quatrième transistor MOS et le premier port sont toutes égales; et la linéarité est relativement élevée.
(ZH)
本申请实施例公开了一种开关电路、混频器及电子设备,该开关电路包括第一金属氧化物半导体MOS管、第二MOS管、第三MOS管以及第四MOS管,该第一MOS管的栅极和该第四MOS管的栅极均连接第一端口,该第二MOS管的栅极和该第三MOS管的栅极均连接第二端口;该第一MOS管的栅极与该第一端口之间的引线的长度、该第二MOS管的栅极与该第二端口之间的引线的长度、该第三MOS管的栅极与该第二端口之间的引线的长度、该第四MOS管的栅极与该第一端口之间的引线的长度均相等;线性度较高。
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