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1. WO2020204314 - MÉMOIRE FLASH TRIDIMENSIONNELLE À BASE DE MATÉRIAU FERROÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ

Numéro de publication WO/2020/204314
Date de publication 08.10.2020
N° de la demande internationale PCT/KR2019/018499
Date du dépôt international 26.12.2019
CIB
H01L 27/11597 2017.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
112Structures de mémoires mortes
115Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
11585les électrodes de grille comprenant une couche utilisée pour ses propriétés de mémoire ferro-électrique, p.ex. semi-conducteur métal-ferro-électrique ou semi-conducteur d’isolation métal-ferro-électrique-métal
11597caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
H01L 27/1159 2017.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
112Structures de mémoires mortes
115Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
11585les électrodes de grille comprenant une couche utilisée pour ses propriétés de mémoire ferro-électrique, p.ex. semi-conducteur métal-ferro-électrique ou semi-conducteur d’isolation métal-ferro-électrique-métal
1159caractérisées par la région noyau de mémoire
H01L 27/11551 2017.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
112Structures de mémoires mortes
115Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
11517avec grilles flottantes
11551caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
H01L 27/11524 2017.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
112Structures de mémoires mortes
115Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
11517avec grilles flottantes
11521caractérisées par la région noyau de mémoire
11524avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
H01L 21/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
H01L 29/51 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
43caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
49Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
51Matériaux isolants associés à ces électrodes
Déposants
  • 한양대학교 산학협력단 INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 송윤흡 SONG, Yun Heub
  • 최창환 CHOI, Chang Wan
  • 정재경 JEONG, Jae Kyeong
Mandataires
  • 김정훈 KIM, Jeong Hoon
Données relatives à la priorité
10-2019-003690929.03.2019KR
10-2019-009073626.07.2019KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) FERROELECTRIC MATERIAL-BASED THREE-DIMENSIONAL FLASH MEMORY, AND MANUFACTURE THEREFOR
(FR) MÉMOIRE FLASH TRIDIMENSIONNELLE À BASE DE MATÉRIAU FERROÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(KO) 강유전체 물질 기반의 3차원 플래시 메모리 및 그 제조
Abrégé
(EN)
Disclosed are: a three-dimensional flash memory in which the degree of integration in a horizontal direction is improved so as to promote integration; and a manufacturing method therefor. A three-dimensional flash memory according to one embodiment comprises: at least one channel layer extending in one direction; at least one ferroelectric film used as a data storage place while being extended in the one direction so as to encompass the at least one channel layer; and a plurality of electrode layers stacked so as to be vertically connected to the at least one ferroelectric film.
(FR)
L'invention concerne : une mémoire flash tridimensionnelle dans laquelle le degré d'intégration dans une direction horizontale est amélioré de façon à favoriser l'intégration ; et un procédé de fabrication associé. Une mémoire flash tridimensionnelle selon un mode de réalisation comprend : au moins une couche de canal s'étendant dans une direction ; au moins un film ferroélectrique servant d'emplacement de mémorisation de données tout en étant étendu dans ladite direction de façon à englober ladite couche de canal ; et une pluralité de couches d'électrode empilées de manière à être connectées verticalement audit film ferroélectrique.
(KO)
수평 방향의 집적도를 향상시켜 집적도를 도모하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는, 일 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 채널층; 상기 적어도 하나의 채널층을 둘러싸도록 상기 일 방향으로 연장 형성된 채 데이터 저장소로 사용되는 적어도 하나의 강유전체막; 및 상기 적어도 하나의 강유전체막에 대해 수직적으로 연결되도록 적층되는 복수의 전극층들을 포함한다.
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