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1. WO2020203387 - COMPOSITION PERMETTANT DE FORMER UN FILM DE SOUS-COUCHE DANS UN PROCÉDÉ D'IMPRESSION, KIT, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, CORPS MULTICOUCHE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/203387
Date de publication 08.10.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/012596
Date du dépôt international 23.03.2020
CIB
C08F 290/12 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
FCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
290Composés macromoléculaires obtenus par polymérisation de monomères sur des polymères modifiés par introduction de groupes aliphatiques non saturés terminaux ou latéraux
08sur des polymères modifiés par introduction de groupes non saturés latéraux
12Polymères prévus par les sous-classes C08C ou C08F78
C08G 59/18 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
GCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
59Polycondensats contenant plusieurs groupes époxyde par molécule; Macromolécules obtenues par réaction de polycondensats polyépoxydés avec des composés monofonctionnels à bas poids moléculaire; Macromolécules obtenues par polymérisation de composés contenant plusieurs groupes époxyde par molécule en utilisant des agents de durcissement ou des catalyseurs qui réagissent avec les groupes époxyde
18Macromolécules obtenues par polymérisation à partir de composés contenant plusieurs groupes époxyde par molécule en utilisant des agents de durcissement ou des catalyseurs qui réagissent avec les groupes époxyde
H01L 21/027 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
B29C 59/02 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
29TRAVAIL DES MATIÈRES PLASTIQUES; TRAVAIL DES SUBSTANCES À L'ÉTAT PLASTIQUE EN GÉNÉRAL
CFAÇONNAGE OU ASSEMBLAGE DES MATIÈRES PLASTIQUES; FAÇONNAGE DES MATIÈRES À L'ÉTAT PLASTIQUE NON PRÉVU AILLEURS; POST-TRAITEMENT DES PRODUITS FAÇONNÉS, p.ex. RÉPARATION
59Façonnage de surface, p.ex. gaufrage; Appareils à cet effet
02par des moyens mécaniques, p.ex. par pressage
Déposants
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 袴田 旺弘 HAKAMATA Akihiro
  • 下重 直也 SHIMOJU Naoya
  • 後藤 雄一郎 GOTO Yuichiro
Mandataires
  • 特許業務法人特許事務所サイクス SIKs & Co.
Données relatives à la priorité
2019-06781629.03.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) COMPOSITION FOR FORMING UNDERLAYER FILM IN IMPRINT METHOD, KIT, PATTERN FORMING METHOD, MULTILAYER BODY, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) COMPOSITION PERMETTANT DE FORMER UN FILM DE SOUS-COUCHE DANS UN PROCÉDÉ D'IMPRESSION, KIT, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, CORPS MULTICOUCHE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) インプリント法における下層膜形成用組成物、キット、パターン製造方法、積層体および半導体素子の製造方法
Abrégé
(EN)
A composition for forming an underlayer film in an imprint method, which contains a polymer compound having a polymerizable functional group and a monomer having a plurality of crosslinkable functional groups that are linkable with a polymerizable functional group, wherein: the Hansen solubility parameter distance, which is the difference between the Hansen solubility parameter of the polymer compound and the Hansen solubility parameter of the monomer, is 5.0 or less; and with respect to two crosslinkable functional groups among the plurality of crosslinkable functional groups, the number of atoms that constitute the shortest atomic chain which connects the crosslinking points in the crosslinkable functional groups with each other is 7 or more. A multilayer body which comprises a layer that is formed from this composition for forming an underlayer film; and a method for producing a semiconductor element, wherein a semiconductor element is produced by utilizing a pattern that is obtained by the above-described pattern forming method.
(FR)
L'invention concerne une composition permettant de former un film de sous-couche dans un procédé d'impression, qui contient un composé polymère comprenant un groupe fonctionnel polymérisable et un monomère comprenant une pluralité de groupes fonctionnels réticulables qui peuvent être liés avec un groupe fonctionnel polymérisable. La distance entre paramètres de solubilité de Hansen, qui est la différence entre le paramètre de solubilité de Hansen du composé polymère et le paramètre de solubilité de Hansen du monomère, est inférieure ou égale à 5,0 ; et par rapport à deux groupes fonctionnels réticulables parmi la pluralité de groupes fonctionnels réticulables, le nombre d'atomes qui constituent la chaîne atomique la plus courte qui relie les points de réticulation dans les groupes fonctionnels réticulables entre eux est supérieur ou égal à 7. L'invention concerne également un corps multicouche qui comprend une couche qui est formée à partir de cette composition permettant de former un film de sous-couche ; et un procédé de production d'un élément à semi-conducteur, un élément à semi-conducteur étant produit en utilisant un motif qui est obtenu par le procédé de formation de motif décrit ci-dessus.
(JA)
重合性官能基を有する高分子化合物と、重合性官能基と結合可能な架橋性官能基を複数有するモノマーとを含み、高分子化合物のハンセン溶解度パラメータと、上記モノマーのハンセン溶解度パラメータとの差であるハンセン溶解度パラメータ距離が5.0以下であり、複数の架橋性官能基のうち2つの架橋性官能基について、各架橋性官能基中の架橋点を互いに連結する最短の原子鎖を構成する原子数が7以上である、インプリント法における下層膜形成用組成物、上記下層膜形成用組成物から形成された層を含む積層体、および、上記パターン製造方法により得られたパターンを利用して半導体素子を製造する半導体素子の製造方法。
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